米IBMは，LSI配線間の絶縁を分子の自己組織化現象で確保する技術を開発した。IBMが米国時間5月3日に明らかにしたもの。

　自己組織化は，ある種のポリマー（重合体）分子が自然に集まり，規則的な構造を作り出す現象。自然界では，貝殻や雪の結晶，歯のエナメルなどが，自己組織化で形成される。IBMは，半導体メモリー素子の製造に自己組織化を応用する手法も研究している（関連記事）

　自己組織化による絶縁は，配線に使うナノ・メートル程度の各銅ワイヤーの周囲に数兆個の微細な真空の“穴”を形成し，これを空隙として使うことで実現する。この手法で作れる空隙の大きさは，「現在のリソグラフィ技術で形成可能なサイズに比べ，相当小さい」（IBM）。

　新開発の手法は，標準的なCMOS製造装置を刷新せず導入できる。IBMによると，絶縁性が向上する結果，LSI内の信号速度が35％高速化し，消費電力が15％少なくなるという。

　自己組織化による絶縁技術は，ニューヨーク州イーストフィッシュキルの半導体工場で導入を始めており，2009年より量産プロセスに適用する予定。

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