As you may have seen in my previous blog post, I like arcade boards, trying to understand how they behave and sometimes fixing them. A year ago, I had my hands on a “Street Fighter II New Challengers” CPS2 game board, but it had graphic glitches as you can see below. Vintage game and computer collectors are no stranger to these problems. Because of corrosion, component degradation, battery leaks o
Foveonの原理は、 縦にセンサーを並べ「波長の短い光は奥まで届かないが、波長の長い光は奥まで届く」という構造で、 ・一番上のセンサ: RGB全部届く。R+G+Bを感知 ・まん中のセンサ: Bはもう届かない。R+Gを感知。上のセンサが受光した分、元の光よりR/Gも減ってる。 ・一番下のセンサ: Gももう届かない。Rを感知。上のセンサで受光した分、元の光よりRは減ってる。 という形。「(R+G)-R」でGを算出、「(R+G+B)-R-G」でBを算出、という計算でR/G/Bを求めてる。 でまあ、こういう構造なので、解像度は上げられるけど、感度は落ちる。そこがFoveonの弱点。 ちょっと話は変わるけど、いわゆる「3板式カメラ」は、プリズムで光を波長別に分ける(b分光する)ことで、R/G/B それぞれのセンサで感知する方式。波長によって反射するか透過するかが変わるけど、吸収する(消えてなくなる
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」(2016年5月10~12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ(200mm)のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。 GaNパワーデバイスの専業メーカーであるフランスのExaganは、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10~12日)に出展し、同社のGaN on Siウエハー(Siウエハー上にGaNを結晶成長させたもの)や、GaN FET「G-FET」を紹介した。 GaN FETについては、まずは耐圧650V品を2016年中にサンプル出荷する。次のステップとして1200V品の開発も進めている。1200Vの耐圧を持つ次世代パワーデバイスは現
論理LSIの微細化で先頭を走る米Intel社と台湾TSMC、そして米IBM社。各社の最先端プロセスである16/14nm世代技術には、どのような戦略の違いがあるのか――。 2015年1月30日に東京都内で開催されたセミナー(SPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」、主催:セミコンダクタポータル)では、東京大学 生産技術研究所 教授の平本俊郎氏が登壇。「16/14nm FinFET技術の最新トレンド ~2014 IEDMから」と題し、半導体デバイス関連の国際学会で発表された内容を中心に、先端CMOS技術のトレンドを解説した。 平本氏はまず、先端CMOS技術の開発が22/20nm世代から16/14nm世代へ移行し、これに伴ってバルクSi基板を用いたプレーナー(平面)構造のMOSFET(プレーナーバルクMOSFET)が完全に姿を消したことを指摘した。短チャネル効果やばらつきを十分に抑
アップルより早かったセンサ制御IC 2013年9月、アップルはiPhone 5sを発売した。そのアピールポイントとしていたのが「M7」プロセッサだ。これは加速度、ジャイロ、電子コンパスなどのモーションセンサ制御を専門に担当するプロセッサだ。従来、これらのセンサはアプリケーションプロセッサに直接接続していた。 モーションセンサは、IC内部に振り子のように動く部分を持つタイプもあり、基本的には常に電源が入った状態で刻々と変わるデバイスの姿勢情報を送信している。このため、プロセッサには常に信号を入力している状態だった。動作クロックが高いプロセッサは大容量エンジンと似ており、データの処理量が少なくても動き続けるだけでバッテリーを消耗する。 アップルはモーションセンサ関連の処理機能をアプリケーションプロセッサから分離し、単体の小型プロセッサとして独立した。iPhone 5sではNXPがこのプロセッサ
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