東レは10月23日、光通信技術(シリコンフォトニクス)に用いられる、InPをはじめとする光と電気を相互に変換する機能を持つ化合物半導体ベースの光半導体を、シリコン基板上に実装するための材料および技術を開発したことを発表した。同成果は、東レと子会社の東レ エンジニアリングによるもの。 AIなどの進展による高速通信の拡大により、多量の電力消費を伴うデータセンターの増設が続いており、将来の電力需要の増大が懸念されている。そこで研究開発が進められているのが、電気通信よりも低エネルギー損失である光通信を、現在の長距離通信だけでなくデータセンター内の短距離通信にも適用しようという試みで、その実現には、シリコン基板上に光回路を形成するシリコンフォトニクスの活用が期待されているものの、InPなどのIII-V族化合物半導体を用いた光半導体をシリコン基板上実に大量かつ高速に実装する必要があり、そのための「マス
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