米IBMは4月12日(現地時間)、3Dスタッキングを用いたチップ製造でブレイクスルーとなる技術を開発したと発表した。「Through-Silicon Via」と呼ばれる新技術ではチップのダイ上に小さな孔を空け、そこに金属を満たすことで上下2つのチップをサンドイッチ状に挟んで直接接続させる。これにより、従来の2Dによるチップ配置とは異なり長い配線が必要なくなるため、パフォーマンスや省電力、サイズの面で大きなメリットになるという。同社ではこの技術について「ムーアの法則の限界を打ち破るもの」と表現している。 今回発表されたThrough-Silicon Viaの技術は、たくさんの小さな穴を開けた薄いシリコンウェハを用意し、2つの異なるチップを垂直方向に接合するための接着剤の役割を与えるもの。この穴には金属が流し込まれており、チップの接着と同時に2つのチップの回路同士をバイパスさせるための経路にも
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