Aluno de Engenharia Elétrica do Centro Universitário FEI. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em Materiais e Componentes Semicondutores, atuando na área de caracterização elétrica de transistores SOI MOS de múltiplas portas no tema de transistores de alto desempenho analógico para aplicações de baixo consumo. (Fonte: Currículo Lattes)
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A constante miniaturização de transistores MOS tem dificultado a utilização de tecnologias tradicionais em substratos de Si, devido à ocorrência de efeitos de canal curto, que degradam as características elétricas dos transistores. A tecnologia de fabricação de circuitos integrados (CIs) em lâminas SOI tem se constituído como uma importante alternativa à tecnologia CMOS convencional, na f…
Atualmente, grande parte dos circuitos eletrônicos utilizam como elementos básicos transistores por efeito de campo construídos segundo a tecnologia Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET). O escalamento de dispositivos semicondutores consiste em reduzir as dimensões dos transistores MOS e interconexões em circuitos integrados (CIs), permitindo maior densidade de integração, maior velocidade e …
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