VASP实用教程:能带结构计算及分析
一般情况计算能带结构图主要是为了得到Band Gap,得到VBM(价带顶)和CBM(导带底)的位置,但是更加深入的进行分析,我们可以通过能带结构获得更多的信息。下面进行第三步的非自洽计算,通过这步计算即可得到数据,绘制能带结构图。能带结构的计算步骤主要有三个。在固体物理学中,固体的能带结构(又称电子能带结构)描述了禁止或允许电子所带有的能量,这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。能带是能级
能带可以看成周期边界条件(bloch函数)下的一种近似。在固体物理学中,固体的能带结构(又称电子能带结构)描述了禁止或允许电子所带有的能量,这是周期性晶格中的量子动力学电子波衍射引起的。
能带是能级的拓展,一个能带其实就是一个能级分成无数个能级,基态时,所有电子都是先占据最低的能带,慢慢向高的能带填充。周期性体系才有能带结构,对于非周期性体系是有没有能带结构的。
石墨烯电子能带结构
材料的能带结构决定了多种特性,特别是它的电子学和光学性质。因此,周期性体系涉及到这些方面性质的表征时,就避不开通过理论计算来评估材料的能带结构(尤其是带隙),以期从理论上来解释材料的性质。我们将通过本篇教程来和大家讲解一下如何计算能带结构,以及后期处理数据和分析结果的方法。
计算方法
能带结构的计算步骤主要有三个。与其他的计算任务一样,想要计算能带结构就必须对结构进行优化,这是第一步,结构优化的方法在前面已经讲过,这里不再细说。第二步需要进行静态自洽计算,这里主要强调一下INCAR的设置问题。
- PREC、EDIFF、ENCUT根据自己的计算需求来定,ISTART= 0。
- ISMEAR的设置需要注意一下,对于半导体和绝缘体设置为0,对于金属设置为1,同时SIGMA设置一个合适的值,笔者一般取SIGMA = 0.01进行计算。如果不知道如何取SIGMA值,可以查找侯柱峰老师的测试脚本进行测试。
- 如果需要获得芯能级、真空能级,则需要再INCAR中添加一下设置:
- POSCAR直接使用结构优化产生的CONTCAR,命令为‘cp CONTCAR POSCAR’。
- KPOINTS和POTCAR不变,直接将结构优化的KPOINTS和POTCAR拷贝过来即可。
- INCAR中需要注意的参数:
- KPOINTS文件需要用Line-mode,给出高对称性k点之间的分割点数。通过vaspkit来生成KPOINTS文件。这里默认已经安装了vaspkit,直接在终端输入‘vaspkit’运行程序,然后选择‘3)K-Path Generator’在接下来的K-Path Options里面根据自己体系的维度选择相应的选项。生成的KPATH.in命名为KPOINTS文件即可(需要将文件中的高对称性点注释掉)。
- 上一步生成KPATH.in的同时会生成一个PRIMCELL.vasp,我们需要将此文件作为非自洽计算的POSCAR。POTCAR文件与自洽计算的相同。
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