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しきい値電圧ばらつきの英語
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「しきい値電圧ばらつき」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 180件
本発明は、しきい値電圧のばらつきが大きいトランジスタのしきい値電圧を調整してしきい値電圧のばらつきを低減することを可能にする。例文帳に追加
To reduce large variance in threshold voltage of a transistor having the large variance by adjusting the threshold voltage. - 特許庁
画素内増幅トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補償する。例文帳に追加
To compensate the scatter of the threshold voltage of intra-pixel amplification transistors. - 特許庁
メモリセルのしきい値電圧分布のばらつきを小さくする。例文帳に追加
To reduce the dispersion of the distribution of threshold voltages of a memory cell. - 特許庁
微細化されたＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧のばらつきを低減する。例文帳に追加
To reduce irregularity of threshold voltage of a micronized MISFET. - 特許庁
内部回路は低高のしきい値電圧のＭＯＳトランジスタを含み、低しきい値電圧のトランジスタのばらつきは高しきい値電圧のトランジスタのばらつきより大きい。例文帳に追加
The internal circuit includes MOS transistors with low and high threshold voltages, and the dispersion of transistors with a low threshold voltage is larger than that of transistors with a high threshold voltage. - 特許庁
絶縁膜電荷蓄積型メモリセルの初期しきい値電圧のばらつきによる影響を抑制して、書込／消去後のメモリセルのしきい値電圧のばらつきを低減し、応じて、メモリセルの電気的特性のばらつきを低減する。例文帳に追加
To reduce variation of threshold voltage of a memory cell after write-in/erasure by suppressing influence due to variation of initial threshold voltage of an insulation film electric charges accumulating type memory cell, and to reduce variation of an electric property of a memory cell. - 特許庁
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「しきい値電圧ばらつき」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 180件
トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響を抑制して、所望の電圧を供給する。例文帳に追加
To supply a desired voltage by suppressing the effect of variation in the threshold voltage of a transistor. - 特許庁
しきい値電圧のばらつきが低減される半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having reduced fluctuation in a threshold voltage value, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
ＭＯＳ型トランジスタのしきい値電圧のばらつきを簡単に低減可能とする。例文帳に追加
To enable simply reducing irregularity of a threshold voltage of an MOS type transistor. - 特許庁
トランジスタのしきい値電圧のばらつき及び移動度のばらつきを半導体装置の駆動方法を提供することを課題とする。例文帳に追加
To provide a method for driving a semiconductor device, which corrects variations in the threshold value voltage of a transistor and variations in the movability of the transistor. - 特許庁
従って、保護膜の応力のばらつきに起因する、不純物の拡散深さのばらつきが発生しなくなり、しきい値電圧のばらつき等のトランジスタ特性のばらつきが生じない。例文帳に追加
Thus, the impurity diffusion depth variation due to the stress variation in the protective films does not occur and hence the transistor characteristics such as threshold voltage variation does not occur. - 特許庁
薄膜トランジスタのしきい値電圧のバラツキに起因するＤＣ−ＤＣ変換回路の出力電圧のバラツキを抑制する。例文帳に追加
To suppress the dispersion of the output voltage of a DC-DC converting circuit caused by the dispersion of the threshold voltage of a thin film transistor. - 特許庁
ランダムばらつきをオンチップでモニターして、ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧ばらつきを減らすように基板電圧、電源電圧にフィードバックをかけることを可能とする。例文帳に追加
To apply feedback to substrate voltage, power supply voltage so as to reduce threshold voltage variation of a MOSFET by monitoring random variation on chip. - 特許庁
これにより、インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３のしきい値電圧にばらつきがあっても、信号線Ｓの電圧には影響が及ばないようにすることができる。例文帳に追加
Consequently, though the inverters INV1 to INV3 have variance in threshold, no influence is exerted on the voltage of the signal line S. - 特許庁
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