シリコンダイオードの英語

温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。例文帳に追加

The temperature sensor is a pn junction silicon diode. - 特許庁

アモルファスシリコンダイオードによるイメージセンサアレイ装置例文帳に追加

IMAGE SENSOR ARRAY BY AMORPHOUS SILICON DIODE - 特許庁

複数の直列接続されたシリコンダイオード３を備えた赤外線検出素子１において、一のシリコンダイオード３におけるその中心と他のすべてのシリコンダイオード３の中心との距離の総和と他のすべてのシリコンダイオードにおける前記距離の総和が等しくなるようにそれぞれのシリコンダイオード３を配置し、それぞれのシリコンダイオード３が他のシリコンダイオード３から受ける熱の影響を均一になるようにした。例文帳に追加

In this infrared detection element 1 equipped with a plurality of silicon diodes 3 connected in series, respective silicon diodes 3 are arranged so that the total sum of each distance between the center of one silicon diode 3 and each center of all the other silicon diodes 3 becomes equal to the total sum of each distance between all the other silicon diodes, to thereby equalize each influence of heat received by each silicon diode 3 from the other silicon diodes 3. - 特許庁

赤外線検出素子のそれぞれのシリコンダイオードが他のシリコンダイオードから受ける熱の影響によるノイズを低減もしくは解消させる。例文帳に追加

To reduce or remove a noise caused by an influence of heat received by each silicon diode of an infrared detection element from the other silicon diodes. - 特許庁

そして、主たる半導体素子に絶縁膜１８を形成する際に、絶縁膜１８で単結晶シリコンダイオード２０１を覆うことによって、単結晶シリコンダイオード２０１を単結晶半導体基板１０に固着する。例文帳に追加

Then, when an insulating film 18 is formed in the primary semiconductor device, the monocrystal silicon diode 201 is fastened to the monocrystal semiconductor substrate 10 by covering the monocrystal silicon diode 201 with the insulating film 18. - 特許庁

ボンディングパッド２７は、第２の絶縁膜２５を介してポリシリコンダイオード２４の上面を覆うように形成され、ポリシリコンダイオード２４に電気的に接続されている。例文帳に追加

The bonding pad 27 is so formed as to cover the upper surface of the polysilicon diode 24 via a second insulating film 25, and electrically connected to the polysilicon diode 24. - 特許庁

アンチヒューズに取って代わることができ、多結晶シリコンダイオードとの互換性を有する書き換え可能可変抵抗メモリ素子が必要である。例文帳に追加

To obtain a rewritable variable resistor memory device that can be replaced with an antifuse and is compatible with a polysilicon diode. - 特許庁