ダングリングボンドの英語

この構成によって、紫外線等の照射によって生じたダングリングボンドを水素で終端して、受光感度の低下を低減することができる。例文帳に追加

Dangling bond produced by irradiation of ultraviolet rays etc. is terminated with hydrogen and deterioration of photosensitivity can be reduced with such structure. - 特許庁

脱水素処理工程において、水素化処理工程でダングリングボンドと結合した水素の内、結合が弱い水素のみを離脱させる。例文帳に追加

In the dehydrogenation treatment process, only hydrogen having a weak bond is disconnected in hydrogens bonded to a dangling bond in the hydrogenation treatment process. - 特許庁

ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor substrate having a surface which is higher than 14.0 nm^-2 in dangling bond density, and is flat. - 特許庁

従来と異なる熱処理制御により、ダングリングボンドを有効に低減して、ライフタイムを効果的に向上させる。例文帳に追加

To enhance the lifetime effectively by reducing dangling bond effectively through heat treatment control different from conventional one. - 特許庁

シリコンダングリングボンドが、フッ素原子による終端と水酸基による終端とによって終端されたシリコン絶縁膜。例文帳に追加

The silicon insulation film has a silicon dangling bond, terminated by the termination with fluorine atom and termination with a hydroxy group. - 特許庁

ダングリングボンドを終結させるため、プラズマシリコン窒化膜１６より水素を拡散してチャネル部４に水素を導入する。例文帳に追加

Hydrogen is diffused through a plasma silicon nitride film 16 and introduced to the channel 4 to terminate dangling bonds. - 特許庁

ゲート絶縁膜や素子領域中に存在する多量のダングリングボンドを重水素により終端する。例文帳に追加

To terminate a large amount of dangling bonds existing in gate insulating film or element region by heavy hydrogen. - 特許庁

シリコン窒化膜６を開口することにより、ダングリングボンドを終結させて、半導体装置の特性を向上させることができる。例文帳に追加

An opening is bored in the silicon nitride film 6 to terminate dangling bonds, by which semiconductor device can be improved in characteristics. - 特許庁