テトラメチルシランの英語

複数種類の有機シリコンガスとしてはテトラメチルシランとヘキサメチルジシラザンとが例示される。例文帳に追加

Tetramethylsilane and hexamethyldisilazane are indicated as examples for the plurality of kinds of organic silicon gas. - 特許庁

また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。例文帳に追加

As the material of the organic silane gas 15, monomethylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, and tetramethylsilane can be used. - 特許庁

テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２上に形成されたＳｉＣＯ膜ＳＣＯからバリア絶縁膜を構成する。例文帳に追加

A barrier insulator film consists of an SiCN film SCN1 (4MS_) formed by lowering the flow rate of tetramethyl silane gas below normal conditions, an SiCN film SCN2 formed on the SiCN film SCN1 (4MS_) at a normal flow rate of tetramethyl silane gas, and an SiCO film SCO formed on the SiCN film SCN2. - 特許庁

本発明によれば、トリメチルクロロシランとトリアルキルヒドロシラン化合物から、ジメチルシランやテトラメチルシランの副生を伴わないでトリメチルシランとトリアルキルクロロシランを併産することができる。例文帳に追加

The trimethylsilane and the trialkylchlorosilane can simultaneously be produced from the trimethylchlorosilane and the trialkylhydrosilane compound without being accompanied by the formation of dimethylsilane or tetramethylsilane as by-products. - 特許庁

また、モノメチルシランガスやテトラメチルシランガス等のＳｉ含有ガスを用いると、被膜にＳｉと共にＣも添加でき、被膜の摺動特性を向上することができる。例文帳に追加

When Si-containing gas such as monomethylsilane gas or tetramethylsilane gas is used, C can be added together with Si to the film, and the sliding characteristic of the film can be enhanced. - 特許庁

燃料油の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定する工程と、上記^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおける、テトラメチルシランを基準として６．１〜６．６ｐｐｍに観測される全ピークαの積分値の合計に基づいて、上記燃料油における共役ジエン構造の含有割合を求める工程と、を有する、燃料油の分析方法。例文帳に追加

This method of analyzing a fuel oil includes a process for measuring ^1H-NMR spectrum of the fuel oil, and a process for finding the content rate of the conjugated diene structure in the fuel oil based on the sum of integral values of all peaks α observed as 6.1 to 6.6 ppm relative to tetramethylsilane in the ^1H-NMR spectrum. - 特許庁

半導体装置における絶縁膜を成膜する方法であって、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）と、酸化ガスとして亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）とを用い、室温から２５０℃までの基板温度にて絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の成膜方法とする。例文帳に追加

In the method of forming an insulating film in a semiconductor device, TMS as a material gas of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas are used, to form the insulating film at a substrate temperature ranging from room teperature up to 250°C by plasma CVD method. - 特許庁