全面成膜法の英語

電解メッキ法により半導体基板上に形成された金属膜の膜厚を、半導体基板の全面に亘って均一にする。例文帳に追加

To make the thickness of a metal film formed on a semiconductor substrate by an electrolytic plating process uniform all over the semiconductor substrate. - 特許庁

上記の感光性樹脂組成物からなる塗膜に、活性光線を全面に照射し、８０〜３００℃で加熱する耐熱性塗膜の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing a heat resistant coating, a coating comprising the photosensitive resin composition is irradiated with active light all over and heated at 80-300°C. - 特許庁

形成した膜の外周にバリが生じず、基板等の被塗膜物上全面に膜厚の均一な塗膜を形成できる塗膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coating film forming method for forming a coating film of a uniform thickness all over the whole surface of a material to be coated such as a base without generating flashes on the outer periphery of the formed film. - 特許庁

最初に素子領域全面に第１の厚みを持つシリコン窒化膜７を形成し,次に第２の厚みを形成する領域のみシリコン窒化膜を除去した後、再び全面に酸化と窒化を組み合わせた方法によりシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

At first, a silicon nitride film 7 having a first thickness is formed on an entire surface of an element region, and next after the silicon nitride film is removed only from the region having a second thickness, again the silicon oxide is formed on the entire surface by the method combined oxidation with nitriding. - 特許庁

半導体基板上への導電金属ラインの形成方法は、半導体基板１００の全面上に拡散防止膜１０５を形成することを含む。例文帳に追加

The method for forming the electrically conductive metal line onto a semiconductor substrate includes forming a diffusion prevention film 105 on the whole area of a semiconductor substrate 100. - 特許庁

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。例文帳に追加

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method. - 特許庁

その後、シリコン基板１のほぼ全面に、スパッタ法により、アルミニウム原子が堆積されてアルミニウム薄膜１６が形成される（図２（ｃ））。例文帳に追加

Thereafter, aluminium atoms are deposited on the substantially entire surface of the silicon substrate 1 by sputtering to form an aluminium thin film 16 (Fig.(c)). - 特許庁

続いて、シリコン基板のほぼ全面に、スパッタ法により、アルミニウム原子が堆積されてアルミニウム薄膜１６が形成される（図２（ｃ））。例文帳に追加

Subsequently, aluminium atoms are deposited on the substantially entire surface of the silicon substrate by sputtering to form an aluminium thin film 16 (Fig.(c)). - 特許庁