有効膜抵抗の英語

入射側抵抗体層１０３は、スペーサ１２で囲まれた有効領域外部において、複数の入射側電極ライン群１００の端部全てを電気的に直列に接続する直線状の抵抗体の薄膜で形成されている。例文帳に追加

A light incident side resistor layer 103 is formed of a linear resistor thin film which electrically connects all of a plurality of terminal portions of a plurality of the light incident side electrode line groups 100 in series on the outside of the effective region surrounded by a spacer 12. - 特許庁

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。例文帳に追加

In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect. - 特許庁

抵抗膜方式タッチパネルにおけるニュートンリングの発生を有効に抑制でき、かつ打鍵耐久性にも優れる透明導電性膜を提供する。例文帳に追加

To provide a transparent conductive film which can effectively suppress the occurrence of a Newton ring in a resistive film type touch panel and is also excellent in keying durability. - 特許庁

透明導電膜４の中央の有効部分をマスク材７にてマスキングして、透明導電膜４の端部にのみ酸素プラズマ処理を施して高抵抗化する（ｄ）。例文帳に追加

Masking is performed to the central effective part of the transparent conducting film 4 by using mask member 7, and only the end portion of the transparent conducting film 4 is subjected to oxygen plasma treatment and made high resistance (d). - 特許庁

本発明で製作する薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用基板は、パネル内の導線抵抗値を有効に減少することができ、薄膜トランジスタの駆動信号の通信速度を向上させることができる。例文帳に追加

Primarily, the method includes forming a conductive line structure with low impedance to remedy the difficulty of the resistance matching in a conventional panel design. - 特許庁

基板オフ角度を有する化合物半導体単結晶基板上に薄膜半導体層をエピタキシャル成長により形成する場合に生じるシート抵抗値のばらつきを有効に抑えること。例文帳に追加

To effectively prevent variations in sheet resistance values, which occur when a thin film semiconductor layer is formed by epitaxial growth on a compound semiconductor single crystal substrate having a substrate off angle. - 特許庁

このようにコンタクトホールを形成することで、ダイオードと端子間の配線抵抗を低減し、かつダイオードの半導体膜全体を整流素子として有効に機能させることができる。例文帳に追加

By forming the contact holes in this manner, wiring resistance between the diode and the terminal can be reduced and the entire semiconductor film of the diode can effectively function as a rectifier element. - 特許庁

フリー層へバイアス磁界を与える磁区制御膜を磁気抵抗効果層に積層した構造を持ちながら、有効トラック幅が狭くても、バルクハウゼンノイズを抑制するために十分なバイアス磁界をフリー層内で得る。例文帳に追加

To have a structure obtained by laminating a magnetic domain control film applying a bias magnetic field to a free layer on a magneto-resistance effect layer, and simultaneously to obtain, in the free layer, the bias magnetic field enough to suppress Barkhausen noises even if a valid track width is narrow. - 特許庁