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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > 有機金属気相堆積法の英語・英訳 

有機金属気相堆積法の英語

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英訳・英語 metal‐organic CVD


JST科学技術用語日英対訳辞書での「有機金属気相堆積法」の英訳

有機金属気相堆積法


「有機金属気相堆積法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

低減された温度で窒化チタンの金属有機化学堆積をする方例文帳に追加

METALLIC ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD FOR NITRIDE TITANIUM IN LOWERED TEMPERATURE - 特許庁

ウエハガイド、有機金属成長装置および窒化物系半導体を堆積する方例文帳に追加

WAFER GUIDE, METAL ORGANIC VAPOR PHASE GROWING DEVICE AND METHOD FOR DEPOSITING NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方であって、該方は、以下を含む: 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること;及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。例文帳に追加

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process. - 特許庁

Siと酸素を含む絶縁膜を形成されたシリコン酸化膜上に、有機金属原料を使った化学堆積により、金属酸化物膜を、前記金属酸化膜が堆積直後の状態において結晶質となるように堆積する。例文帳に追加

On a silicon oxide film obtained by the formation of an insulation film containing Si and oxygen, a metal oxide film is so deposited by a chemical-vapor-deposition method, using an organic-metal raw material that the metal oxide film becomes crystalline in the state obtained, immediately after the deposition. - 特許庁

有機金属化学的成長によるグレーディングPrxCa1−xMnO3薄膜の堆積例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

有機金属成長(MOVPE)により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。例文帳に追加

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition. - 特許庁

例文

化学堆積によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。例文帳に追加

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained. - 特許庁

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Weblio専門用語対訳辞書での「有機金属気相堆積法」の英訳

有機金属気相堆積法

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「有機金属気相堆積法」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 11



例文

このZnOx半導体層を、スピンコート、DCスパッタリング、RFスパッタリング有機金属成長(MOCVD)または原子層堆積(ALD)のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。例文帳に追加

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD). - 特許庁

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的堆積を用い、基板温度を650℃以下の条件下でCaRuO_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を50nm以下とする製造方例文帳に追加

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower. - 特許庁

強誘電体膜13は、下部電極12上に有機金属化学堆積で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第1強誘電体材料からなる第1強誘電体層17と、第1強誘電体層17上に化学溶液堆積で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第2強誘電体材料からなる第2強誘電体層18と、を含む。例文帳に追加

The ferroelectric fim 13 contains a first ferroelectric layer 17, formed on the lower electrode 12 by a metallo-organic chemical vapor deposition and made of a first ferroelectric material, having a peropvskite crystal structure, and a second ferroelectric layer 18 formed on the first ferroelectric layer 17 through chemical solution deposition and is made of a second ferroelectric material having a perovskite crystal structure. - 特許庁

例文

例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。例文帳に追加

In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen. - 特許庁

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「有機金属気相堆積法」の英訳に関連した単語・英語表現

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