熱成長反応の英語

成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。例文帳に追加

The film deposition method includes a heating step of heating a substrate at the predetermined temperature of substantially 200°C, and a reaction step of performing the film deposition by exposing the surface of the substrate to the alternate surface reaction of a reactive object such as TMA in vacuum while maintaining the surface of the substrate at the predetermined temperature, and growing a thin film on the substrate. - 特許庁

加熱装置５０，６０は、坩堝１０および反応容器２０を結晶成長温度（＝８００℃）に加熱し、圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。例文帳に追加

Heating devices 50,60 heat the crucible 10 and a reaction vessel 20 to a crystal growth temperature (=800°C), and a pressure regulator 120 supplies gaseous nitrogen to the reaction vessel 20 through a gas supply pipe 90 and a valve 110 so that the pressure of the gaseous nitrogen in the reaction vessel 20 becomes 1.01 MPa. - 特許庁

均熱長が短くスペース効率が高い横型反応炉用の液相エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid-phase epitaxial growth apparatus for the horizontal type reactor having shortened soaking length and high space efficiency. - 特許庁

TEGaおよびAsH_3は、加熱されたGaAs基板１８上で反応して、GaAsの化合物半導体結晶をGaAs基板１８上に成長させる。例文帳に追加

TEGa and AsH3 react on a heated GaAs substrate 18, thereby growing thereon a compound semiconductor crystal. - 特許庁

アンモニアと有機窒素原料ｘを反応炉２に供給して窒化物半導体の気相成長を行う半導体結晶成長装置１において、上記反応炉２をバイパスさせて排気処理される有機窒素原料ｘをあらかじめ熱処理する熱処理部３を備えた。例文帳に追加

The semiconductor crystal growth apparatus 1 for enabling vapor phase growth of a nitride semiconductor by supplying ammonium and organic nitrogen raw material x to a reaction furnace 2 includes a heat treatment unit 3, for previously conducting heat treatment to the organic nitrogen raw material x to be exhausted by bypassing the reaction furnace 2. - 特許庁

担持後であって原料ガスを反応容器内に導入させる前に、触媒粒子を担持した基板を反応容器内において所定時間加熱させて基体上の触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させる。例文帳に追加

Before introducing the raw material gas into the reaction vessel after carrying, the substrate carrying the catalyst particles is heated for a prescribed time in the reaction vessel, and thereby the catalyst particles on the substrate are developed to increase the catalyst particle size. - 特許庁

気相成長装置２１は、反応炉２２と、反応管２３と、被処理基板２６を載置するサセプタ２７と、サセプタ２７を介して被処理基板２６を加熱するヒータ３３とを備えている。例文帳に追加

The vapor phase deposition apparatus 21 includes a reactor 22, a reaction pipe 23, a susceptor 27 for placing a substrate 26 to be processed, and a heater 33 for heating the substrate 26 through the susceptor 27. - 特許庁

燐の原料としてのＰＨ_3が原料ガスボンベ２から反応炉３に供給され、反応炉３において、原料ガスが熱分解され、図示しない基板上に燐を含む結晶のエピタキシャル成長が行われる。例文帳に追加

PH_3 as a raw material of phosphorus is supplied to a reaction furnace 3 from a raw material gas cylinder 2 and in the reaction furnace 3, a raw material gas is thermally decomposed and a crystal containing phosphorus is epitaxially grown on a substrate being not figured. - 特許庁