窒化マグネシウムの英語

このため、ハロゲン、硫黄や窒素を含有する含ハロゲン等有機ガスを酸化分解する場合であっても、分解生成物としての酸性ガスとマグネシウムフェライトとの反応によりマグネシウムフェライトが分解してマグネシウムフェライトの触媒活性が失活するようなことはない。例文帳に追加

Therefore, even when the organic gas containing halogen, sulfur, nitrogen or the like is decomposed oxidatively, magnesium ferrite is not decomposed by a reaction of magnesium ferrite with the acidic gas being a decomposition product and does not lose its catalytic activity. - 特許庁

第１の層２に含まれている上記第１のフィラーは、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム及び炭酸マグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種である。例文帳に追加

The first filler contained in the first layer 2 is at least one kind material selected from a group consisting of magnesium oxide, zinc oxide, aluminum nitride and magnesium carbonate. - 特許庁

アンモニア含有排水に、塩化マグネシウム及びリン酸を添加してＭＡＰ（MgNH_4PO_4・６H_2O：リン酸マグネシウムアンモニウム）を合成させ、これを固液分離することにより、窒素分を除去する。例文帳に追加

This treatment method is employed to remove a nitrogen content by loading the ammonia-containing drainage with magnesium chloride and phosphoric acid, synthesizing MAP (MgNH_4PO_4-6H_2O: ammonium magnesium phosphate), and carrying out slid-liquid separation of this. - 特許庁

マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、アニーリングにおいて、窒化ガリウム系化合物半導体の分解を抑えかつマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層中から、マグネシウムと解離されてなる少なくとも一部の水素を深さ方向均一に出すことができる膜厚０．０１μｍ以上のキャップ層を有する。例文帳に追加

The semiconductor further comprises: a cap layer which can uniformly retrieve at least a partial hydrogen dissociated from magnesium from the gallium nitride compound semiconductor layer suppressing the dissociation of a gallium nitride compound semiconductor in annealing and containing the magnesium in the depth direction and which has a film thickness of 0.01 μm on the gallium nitride compound semiconductor layer containing the magnesium. - 特許庁

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio. - 特許庁

オーバーコート層１６が、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化イットリウム、アルミン酸マグネシウム、窒化酸化アルミニウム及びイットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる群の中から選ばれた少なくとも１種の無機物よりなる中間層１５を介して、金属層１４の表面に形成されている。例文帳に追加

The overcoat layer 16 is formed on the surface of the metal layer 14 with an intermediate layer 15 interposed which consists of at least one kind of inorganic material selected from a group of magnesium fluoride, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, yttrium oxide, magnesium aluminate, aluminum nitride oxide and yttrium aluminum garnet. - 特許庁

窒化マグネシウムの生成を短い時間でおこない、かつ窒素ガスの使用量を少なくできるアルミニウム鋳造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for casting an aluminum with a casting metallic mold with which generation of magnesium nitride is performed in a short time and the consumption of nitrogen gas can be reduced. - 特許庁

マグネシウムフェライトは、酸性ガス（塩化水素やフッ化水素等のハロゲン化合物、硫黄酸化物や窒素酸化物等）と反応しない。例文帳に追加

Magnesium ferrite does not react with the acidic gas (for example, a halogen compound such as hydrogen chloride and hydrogen fluoride, sulfur oxide and nitrogen oxide). - 特許庁