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結晶仕上げの英語
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英訳・英語 crystallizing finish
「結晶仕上げ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法例文帳に追加
METHOD FOR FINISH POLISHING SURFACE OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER - 特許庁
シリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法及びシリコン単結晶ウエーハ例文帳に追加
SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND METHOD FINISH-POLISHING THE SAME - 特許庁
最初は ただの素朴な結晶の塊だけど ヴィクターが 仕上げた後では・・・ 2千万ドルになる例文帳に追加
Well, it's just a chunk of rough crystal now, but after viktor was through with it... $20 million. - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
仕上げポリッシュの際に表面が均一な化合物半導体結晶ウェハが得られる化合物半導体結晶ウェハの研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing method for a compound semiconductor crystal wafer obtaining the compound semiconductor crystal wafer having a uniform surface in finishing polishing. - 特許庁
結晶粒径が20μm以下の再結晶組織を有する圧延銅箔を90%以上の加工度で仕上げ圧延することにより上記再結晶組織を得ることができる。例文帳に追加
The above recrystallized structure can be obtained by subjecting rolled copper foil having recrystallized structure of ≤20 μm grain size to finish rolling at ≥90% draft. - 特許庁
単結晶シリコンウェーハに代表される半導体基板をより高い平面度に仕上げることができる平坦化技術を提供する。例文帳に追加
To provide a flattening technique for finishing a semiconductor substrate represented by a single-crystal silicon wafer to higher flatness. - 特許庁
単結晶ダイヤモンド工具を用いて乾式で鏡面仕上げ等の高精度加工を行う際に一層優れた加工精度が得られるようにする。例文帳に追加
To provide further excellent machining accuracy when highly accurate machining such as mirror finishing is performed by a dry method by using a single crystal diamond tool. - 特許庁
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「結晶仕上げ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
折り曲げ量が多い形状や結晶化前の熱可塑性樹脂を用いて成形する場合でも、所望の仕上げ寸法で成形できるようにする。例文帳に追加
To enable shaping in desired finishing dimensions even if a shape has a lot of bendings or a thermoplastic resin before crystallization is used for shaping. - 特許庁
結晶粒を微細化して、高温強度および表面仕上げ特性に優れた金型およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a die having high temperature strength and excellent surface finish properties by refining crystal grains, and to provide a method for producing the same. - 特許庁
表面絞り層2の表面を単結晶ダイヤモンドバイト11を用いて切削し、軸受面を仕上げる。例文帳に追加
A bearing surface is finished by cutting the surface of the surface contracted layer 2 by using the monocrystal diamond cutting tool 11. - 特許庁
P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。例文帳に追加
In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated. - 特許庁
仕上げポリッシュ後に化合物半導体結晶ウェハを取り外す時のヘイズが少ない化合物半導体結晶ウェハの研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for polishing a compound semiconductor crystal wafer, wherein the haze is less when the compound semiconductor crystal wafer is dismounted after finish-polishing. - 特許庁
その後、単結晶ダイヤモンド工具4を最初の溝11の加工位置まで移動させ、単結晶ダイヤモンド工具4を回転させながら溝11をそのコーナがシャープエッジな状態に加工する仕上げ加工工程処理を行う。例文帳に追加
Then, the single crystal diamond tool 4 is moved to the working position of the first groove 11, and the groove 11 is finished so that a corner thereof is worked into a sharp edge condition while rotating the single crystal diamond tool 4. - 特許庁
冷延後の鋼板に脱炭焼鈍を施し、その後仕上げ焼鈍を施すにあたり、仕上げ焼鈍の昇温過程において鋼板の粒径を測定し、測定した前記粒径の変化から二次再結晶の開始を検知し、二次再結晶の開始を検知した後、昇温速度を20℃/hr以下に変更する。例文帳に追加
When the cold-rolled steel sheet is subjected to decarburization annealing then to the finish-annealing, the grain diameter in the steel sheet is measured at the temperature raising process of the finish-annealing, and the starting timing of the secondary recrystallization is detected from a change in the measured grain diameter, and after detecting the start of the secondary recrystallization, the temperature raising speed is changed to ≤20°C/hr. - 特許庁
特定の条件にて繊維を熱処理して結晶化させ、特定の組成の仕上げ剤を付与し、極低張力にて巻き取る特殊な紡糸法を用いて製造した、特定の範囲内の配向性、結晶性および摩擦係数のPTT−POY。例文帳に追加
This PTT-POY produced by a special spinning method which comprises crystallizing the yarn by a thermal treatment under specific conditions, imparting a finishing agent having a specific composition, and winding up the yarn under an extremely low tension, and having orientation, crystallinity, and friction coefficient within specific ranges. - 特許庁
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