貫通転位の英語

貫通らせん転位の密度を減らした領域を特定する。例文帳に追加

To specify a region where the density of penetration spiral dislocation is reduced. - 特許庁

また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。例文帳に追加

Further, through dislocation can be reduced by the nano-column. - 特許庁

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。例文帳に追加

To provide a group III nitride compound semiconductor which suppresses through-transition. - 特許庁

貫通転位３の転位線の方向が揃えられ、貫通転位３の転位線の方向と［０００１］ｃ軸との為す角度θが２２．５°以下となるようにする。例文帳に追加

In this SiC semiconductor unit, the direction of the dislocation line of threading dislocation 3 is aligned so that the angle θ between the direction of the dislocation line of threading dislocation 3 and [0001]c axis becomes not greater than 22.5°. - 特許庁

ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。例文帳に追加

To improve reliability of a semiconductor element comprising a hetero junction structure by decreasing penetrating dislocation density penetrating in the growth direction. - 特許庁

貫通転位の軽減されたIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。例文帳に追加

To provide group III nitride-based compound semiconductor reduced with through dislocation. - 特許庁

貫通転位の少ない領域を有するIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。例文帳に追加

To provide a group III nitride-based compound semiconductor having few through dislocations. - 特許庁

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a III nitride based compound semiconductor substrate in which through dislocation is suppressed. - 特許庁