BX-Cとは 意味・読み方・使い方

An interpolation processing part 67 obtains coefficients a, b and c when the coordinates of the points A, B and C respectively satisfy y=ax^2+bx+c.例文帳に追加

補間処理部６７は、点Ａ、ＢおよびＣの座標のそれぞれが、ｙ＝ａｘ^２＋ｂｘ＋ｃを満たすとしたときの係数ａ、ｂおよびｃを求める。 - 特許庁

When the basal metabolic rate (kcal/day) is denoted as BMR, the lean body mass (kg), FFM, and constants A, B and C, the basal metabolic rate can be computed by using the expression BMR=AxFFM+Bx (1/age)+C.例文帳に追加

基礎代謝量（ｋｃａｌ／日）をＢＭＲとし、除脂肪量（ｋｇ）をＦＦＭとしそして定数をＡ、Ｂ、Ｃとすれば、基礎代謝量は、ＢＭＲ＝ＡｘＦＦＭ＋Ｂｘ（１／年齢）＋Ｃで表わされる式を用いて計算することができる。 - 特許庁

The copper alloy for slide fastener has a composition represented by the general formula: Cu_aZn_bX_c (wherein, X is at least one element selected between Si and Al; a is the balance and b and c satisfy, by mass%, 10<b<35 and 0.3<c<3.5; and inevitable impurities can be contained).例文帳に追加

一般式：Ｃｕ_aＺｎ_bＸ_c（但し、ＸはＳｉ，Ａｌから選ばれる少なくとも１種の元素、ａ、ｂ、ｃは、質量％で、ａは残部、１０＜ｂ＜３５、０.３＜ｃ＜３．５、不可避的元素を含み得る）で示される組成を有することを特徴とするスライドファスナー用銅合金である。 - 特許庁

To provide a method for producing a good-quality isocyanate-group-containing organosilicon compound comprising units represented by formula (Ia): R_a(R^1O)_bX_cSiO_(4-a-b-c)/2.例文帳に追加

良質の一般式（Ｉａ） Ｒ_ａ（Ｒ^１Ｏ）_ｂＸ_ｃＳｉＯ_（４−ａ−ｂ−ｃ）／２ （Ｉａ）の単位から構成されているイソシアネート基を有する有機ケイ素化合物を製造する方法。 - 特許庁

A user sets a display coordinate range for graphical display in a setting window 23, and the mathematical expression desired to be displayed is selected from the mathematical expressions set preliminarily in a built-in menu 24 (Y=aX^2+bX+c).例文帳に追加

利用者は、グラフ表示させる表示座標範囲を設定ウィンドウ２３で設定し、グラフ表示させたい数式をビルトインメニュー２４で予め設定した数式の中から選択する（Ｙ＝ａＸ^2＋ｂＸ＋ｃ）。 - 特許庁

Then, measured data in the scanning range registered in the registration part 34 are extracted from a storage part 31, and an approximate expression of a quadratic function component (y=ax^2+bx+c) using a scanning position (x) as a variable is operated from the extracted measured data by an approximation calculation part 32.例文帳に追加

次に、記憶部３１から前記登録部３４に登録された走査範囲の実測データを引き出し、近似算出部３２では、この引き出された前記実測データから走査位置（ｘ）を変数とした二次関数成分（ｙ＝ａｘ^２＋ｂｘ＋ｃ）の近似式を演算する。 - 特許庁

When etching a porous and low-permittivity insulating film I having specific permittivity ≤2.2 by inductively-coupled plasma, a fluorocarbon-based gas represented by general formula C_aF_bX_c or C_4F_8 is used as an etching gas, and the pressure of the etching gas is kept at 0.5-5.0 Pa.例文帳に追加

比誘電率が２．２以下である多孔性、且つ低誘電率の絶縁膜Ｉを誘導結合プラズマによってエッチングするに際し、一般式Ｃ_ａＦ_ｂＸ_ｃにて表されるフルオロカーボン系のガス、又はＣ_４Ｆ_８をエッチングガスとして用いるとともに、該エッチングガスの圧力を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａに維持する。 - 特許庁