CMOS contaminationとは 意味・読み方・使い方

To control the contamination of a ferroelectric capacitor process and to integrate standard complementary metal oxidized film semiconductor (CMOS) device technology.例文帳に追加

強誘電体コンデンサプロセスの汚染をコントロールして、標準的な相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイス・テクノロジを統合する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which can getter metallic ion contamination having high concentration by implanting a p-type impurity ion into a dummy moat region, thereby reducing leakage current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ダミーモート領域に高濃度のｐ型不純物イオンを注入することによって金属イオン汚染をゲッタリングし、漏れ電流を低減できるようにしたＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a photodiode for a CMOS image sensor, the method being able to prevent plasma damage causing dark current or heavy metal contamination due to a photoresist removal process.例文帳に追加

暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止することのできるＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce assembly cost and yield loss concerning contamination in the assembly and mechanical tolerance in a process for producing a CMOS image sensor structure and a camera module using the structure.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ構造体及びこれを用いたカメラモジュールを製作する為のプロセスにおいて、アセンブリコストと、アセンブリ中の汚染と機械的な許容範囲とに関連する歩留まり損失とを低減する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor together with its manufacturing method, where the yield of a device is improved by preventing corrosion, damage, and contamination of a metal line.例文帳に追加

金属ラインの腐蝕、損傷及び汚染を防止して、デバイスの収率を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sensor comprises a CMOS image sensor 30, a transparent electrode layer 32 installed on the top of the CMOS image sensor, a luminescent layer 34 installed on the top of the transparent electrode layer and having phosphor particles 42 and a binder 44, a dielectric layer 36 installed on the top of the luminescent layer, and a contamination resistant film 38 installed on the top of the dielectric layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサー３０と、ＣＭＯＳイメージセンサーの上部に設置される透明電極層３２と、透明電極層の上部に設置され、蛍光体粒子４２とバインダー４４を備える発光層３４と、発光層の上部に設置される誘電層３６と、誘電層の上部に設置される耐汚染性膜３８と、から構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high quality epitaxial wafer by effectively preventing heavy metal contamination in the case of manufacturing epitaxial wafer used for manufacture of an image pickup element such as CCD and CMOS image sensor using the wafer not including CVD film.例文帳に追加

ＣＶＤ膜が無いウエーハを用いてＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサーなどの撮像素子の作製に使用されるエピタキシャルウエーハを製造する場合、重金属汚染を効果的に防ぎ、高品質のエピタキシャルウエーハを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁