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Critical Depthとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 限界水深
「Critical Depth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
As a result, stable ductile mode machining can be applied to a hard and brittle material requiring a micro critical cut depth.例文帳に追加
従って、微小な臨界切込み深さが必要とされる硬脆性材料に対し、安定した延性モード加工を行なうことができる。 - 特許庁
Similarly, the electric field of the horizontal direction is pinched off at the second depth by the second embedding region before an electric field strength at the first depth reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be increased.例文帳に追加
同様に、第1の深さにおける電界強度が臨界電界に達する以前に第2埋め込み領域によって第2の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を増加させることができる。 - 特許庁
The cutout depth by the stroke body of the second rotary unit is larger than the cutout depth by the stroke body of the first rotary unit, and the stroke body of at least the single rotary unit collides with the work object at a speed not less than a critical impact speed.例文帳に追加
第2の回転ユニットの打撃体による切り込み深さは第1の回転ユニットの打撃体による切り込み深さより大きく、少なくとも一つの回転ユニットの打撃体は臨界衝撃速度以上の速度で加工対象物に衝突する。 - 特許庁
Next, a preliminary experiment is done to correct the depth of permeation DP, the energy of critical curing Ec, and Rp indicating the facility of curing in the width direction in a fabrication surface (S202) to obtain those correction coefficients.例文帳に追加
次いで、予備的実験を行い、透過深度DP、臨界硬化エネルギEc及び造形面における幅方向の硬化のし易さを示すRpの補正を行うために予備的実験を行い(S202)、これらの補正係数を求める。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern, the method capable of responding to formation of various types of resist patterns and allowing formation of a resist pattern excellent in depth of focus, a pattern profile, resolution, CDU (critical dimension uniformity) and resistance to pattern collapse.例文帳に追加
種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、CDU及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁
In applying a reverse voltage, an electric field of a horizontal direction is pinched off at the first depth by the first embedding region before an actual joining portion reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be improved.例文帳に追加
逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第1埋め込み領域によって第1の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a machining method and a machining device for applying stable ductile mode machining to a hard brittle material requiring a micro critical cut depth while pushing a tool against a workpiece with stable and constant pushing pressure.例文帳に追加
工具をワークに対して安定した一定の押付圧で押し付けることができ、微小な臨界切込み深さが必要とされる硬脆性材料に対し、安定した延性モード加工を行なうことができる加工方法および加工装置を提供する。 - 特許庁
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「Critical Depth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The hydrogen storage alloy satisfying the conditions has inferior service life properties in the case of being charged/discharged in the critical region of charge/discharge depth (H/M=about 0.1 to 0.8), but has excellent performance in initial activity and service life properties (cycle properties) in the case of being charged/discharged in the central region.例文帳に追加
かかる条件を満足する水素吸蔵合金は、充放電深度の限界域間(H/M=約0.1〜約0.8)で充放電される場合には寿命特性が悪いものの、中心領域で充放電される場合には初期活性、寿命特性(サイクル特性)ともに優れた性能を発揮する。 - 特許庁
Thus, the image of a uniform plane light source free from irregular luminance occurring at the emitting end of the rod integrator 3 is formed on the observation surface of the sample so as to achieve critical illumination, thereby performing observation in such a state where the depth of focus is shallow in comparison with Koehler illumination.例文帳に追加
これによりロッドインテグレータ3の射出端に生じる輝度ムラの無い均一な平面状光源を試料の観察面に結像しクリティカル照明が実現され、ケーラー照明に比べて焦点深度の浅い状態での観察ができる。 - 特許庁
The skin surface is pressed down to a critical depth position where the arterial mean blood pressure is equivalent to the mean blood pressure obtained on the skin surface, and the variation in the arterial mean blood pressure is tracked and controlled to maintain the equivalence between the mean blood pressure measured on the skin surface and the arterial mean blood pressure.例文帳に追加
動脈平均血圧と、皮膚の表面に測定された平均血圧とが同じになる臨界深さまで皮膚の表面を押下げ、動脈の平均血圧での血圧変化を追跡し制御し、皮膚の表面に測定された平均血圧と動脈平均血圧が同じになるように維持する。 - 特許庁
A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加
第2のイオン注入工程(c1)で、付加機能層4の表面側から第1のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第1のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層3を剥離用イオン注入層3’とする。 - 特許庁
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※この記事は『「多国語防災用語集」国際防災の十年(IDNDR)国民会議』の内容を転載しております。 | |
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