ET1とは 意味・読み方・使い方

Subsequently, a conductor film EC1 for the first wiring, which is mainly made of copper, is formed by an electroplating method using the upper barrier conductor film et1 as a sheet layer, and the conductor film EC1 for the first wiring is embedded in the hole H1 for the first wiring by a CMP method.例文帳に追加

続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。 - 特許庁

In an electronic endoscope apparatus provided with the electronic shutter function, in the case that charge storage time et exceeds an upper limit setting value ET1 (step S204, Yes) and the state continues for one or more seconds (step S206, Yes), a diaphragm is withdrawn from an optical path so as to increase the light quantity (step S207).例文帳に追加

電子シャッタ機能を有する電子内視鏡装置において、電荷蓄積時間ｅｔが上限設定値ＥＴ１より大きく（ステップＳ２０４、Ｙｅｓ）、連続して１秒以上その状態が続いている場合（ステップＳ２０６、Ｙｅｓ）、光量増大のために絞りを光路から退避させる（ステップＳ２０７）。 - 特許庁

A high-speed Internet line BB is connected to an Ethernet(R) board ET1 packaged with an interface for WAN of a peer server body PES set up with a variety of software such as OS via a terminating equipment TM prepared by a connection provider.例文帳に追加

高速インターネット回線ＢＢは、接続業者が用意する終端装置ＴＭを介してＯＳなどの各種ソフトウエアがセットアップされたピア・サーバー本体ＰＥＳのＷＡＮ用インターフェースを搭載したイーサネット（登録商標）ボードＥＴ１に接続される。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

In the case where the waste ink tank is replaced in an off period of the power supply, at the time (t4) when the evaporation amount of waste ink is calculated first after the power supply is turned on, an elapsed (evaporation) time period ET1 is calculated by RT-T5-T2 using the time RT, last calculation time T5 and the time width T2 stored in an EEPROM 106.例文帳に追加

電源オフ期間に廃インクタンクが交換された場合には電源オン後の最初の廃インクの蒸発量の算出時（ｔ４）で、その時刻ＲＴ、ＥＥＰＲＯＭ１０６に記憶されている前回の算出時刻Ｔ５と時間幅Ｔ２を用いて経過（蒸発）時間ＥＴ１をＲＴ−Ｔ５−Ｔ２により算出する。 - 特許庁

A process of electrochemical analysis of serum iron comprising releasing iron from the serum sample by adding it to iron-free mixture of low-grade fatty alcohol and about 5.5-about 8.5 N HCl, introducing the specified amount of this solution into the electroanalytic vessel, applying the first electrode for second ionized iron and copper ion level detector of potential ET2, and in the electroanalytic vessel first ionized iron and copper ion level detector of potential ET1, obtaining the current signal at each electrode, and comparing them in order to obtain iron level.発音を聞く 例文帳に追加

血清試料中に存在する鉄を電気化学的に分析する方法において、血清試料を低級脂肪族アルコールと約5.5～約8.5モル毎リットルのHCLとの実質的に鉄を含まぬ混合物中に溶解して血清から鉄を解放させ、この溶液の一定量を電解槽へ添加し、前記電解槽中の第一の電極へ第二鉄イオン及び銅イオンの量を測定するための電位EＴ2を、また、前記電解槽中の第二の電極へ第一鉄イオン及び銅イオンの量を測定するための電位EＴ1をそれぞれ同時に印加し、前記それぞれの電極における電流信号を得、それらの信号を比較して鉄の量を求めることからなることを特徴とする電気化学的分析方法。 - 特許庁