Generation X (film)とは 意味・読み方・使い方

In addition, an X driver IC 16, etc. and a flexible board 3 as an electronic component and a circuit board are mounted and connected immediately after cleaning, thereby preventing generation of the oxide film 33 in the terminal for the electrode, etc. again after the oxide film 33 is removed by cleaning with the pure water 34.例文帳に追加

また、洗浄後直ちに電子部品や回路基板としてのＸドライバＩＣ１６等やフレキシブル基板３を実装、接続することとしたので、酸化膜３３が純水３４の洗浄により除去された後に再び当該電極用端子等に酸化膜３３が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

To obtain an EPMA analysis method using Monte Carlo simulation that can accurately analyze thin-film and minute-object samples that are smaller than an X-ray generation region, and can accurately carry out analysis by simulation with a small number of electrons.例文帳に追加

Ｘ線発生領域よりも小さい薄膜試料や微小物試料についても正確な分析ができ、少ない電子数のシミュレーションで正確な分析をすることができるモンテカルロシミュレーションを用いたＥＰＭＡ分析法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory for the next generation by applying the (Ta_2O_5)_1-x-(Al_2O_3)_x film which has a large dielectric constant and is stable from the viewpoint of stoichiometry to a cell transistor of flash memory and thereby improves electrical characteristic and reliability of the cell transistor.例文帳に追加

誘電定数が大きく且つ化学量論的に安定した（Ｔａ_２Ｏ_５）_１-ｘ−（Ａｌ_２Ｏ_３）_ｘ膜をフラッシュメモリのセルトランジスタに適用してセルトランジスタの電気的特性及び信頼性を向上させ、次世代フラッシュメモリを実現すること。 - 特許庁

To provide a mask case which eliminates the need to use a pellicle film to be stuck on a surface of a mask and prevents the generation of dust, dirt, static electricity and gas in the transportation and storage of the mask, the mask being used for a process of manufacturing a semiconductor circuit of a new generation which is formed using a short wavelength of a soft X-ray range etc. and has high integration.例文帳に追加

軟Ｘ線領域等の短波長を使用して形成される、より集積度の高い新世代の半導体回路の製造工程で使用されるマスクの運搬時及び保管時において、マスク表面に貼り付けるペリクル膜の使用を不要にすると共に、塵、埃、静電気、及びガスの発生を防止すること。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

The formation of the dot pattern in the state of stabilizing the energy of a laser beam LB by triggering a laser oscillator 44 to start irradiation earlier than the time for forming the dot pattern and therefore the unnecessary sensitization to an X-ray film 12 by the excess output energy can be prevented and the generation of the dot pattern having the lower visibility by the dot pattern formation by the insufficient energy can be prevented.例文帳に追加

レーザー発振器４４をドットパターン形成時期よりも早く照射を開始することで、レーザービームＬＢのエネルギーを安定させた状態でドットパターンを形成することができるため、過度の出力エネルギーによってＸレイフィルム１２への不必要な感光が防止でき、不足したエネルギーによるドットパターン形成による視認性の低いドットパターンの発生が防止できる。 - 特許庁