HCDとは 意味・読み方・使い方

The hardware vendor provides an interface for the programmer that allows the system to interact with the hardware and this is called the HCD or HostController Device.例文帳に追加

ハードウェアベンダは、システムがハードウェアと相互通信できるインタフェースをプログラマに提供しています。 これをHCDあるいはホストコントローラデバイスといいます。 - Gentoo Linux

A silicon nitride film (HCD-silicon nitride film) 7 is formed on the inwall of a trench 5 formed on a substrate 1 as a ground insulating film by chemical vapor deposition, using a material gas containing hexachloro-disilane (HCD) Si_2Cl_6.例文帳に追加

基板１に形成されたトレンチ５の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜（ＨＣＤ−シリコン窒化膜）７を形成する。 - 特許庁

An HCD/UBMS hybrid PVD apparatus has an HCD cathode and a UBMS cathode 6 in a same vacuum chamber 1 in a three-dimensional manner as shown in Fig. so as to deposit a smooth film having excellent coating property on a three-dimensional work.例文帳に追加

図１に示すように、同一真空室１にＨＣＤカソードとＵＢＭＳカソード６を立体的に配置し、３次元形状のワークに平滑で、被覆性に優れた被膜を形成できるようにした。 - 特許庁

A cooling water passage 23c is provided on the relay table 23 to adjust the temperature state while moving the substrate P in the substrate transfer apparatus HCD.例文帳に追加

中継テーブル２３に冷却水路２３ｃを設け、基板Ｐを基板搬送装置ＨＣＤ内で移動させつつ温度状態を調節する。 - 特許庁

A treatment apparatus including a treatment system for forming a silicon containing film on the substrate using the HCD treatment gas is provided.例文帳に追加

ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 - 特許庁

A wear resistant ion plating film having manganese nitride as the main composition is formed on a substrate by performing HCD ion plating in an nitrogen atmosphere with metallic manganese as an evaporation source.例文帳に追加

窒化マンガンを主成分とする耐摩耗性イオンプレーティング皮膜を、金属マンガンを蒸発源とし窒素雰囲気中でＨＣＤイオンプレーティングを行うことにより基板上形成する。 - 特許庁

In this structure, a method for evaporating titanium by an HCD method and a method for generating carbon ions by an IBAD method are jointly used, and the structure is obtained by an ion-plating method.例文帳に追加

この構造は、ＨＣＤ法によりチタンを蒸発させる方法とＩＢＡＤ法により炭素イオンを発生させる方法とを併用し、イオンプレーティング法により得られる。 - 特許庁

The HCD-silicon nitride film 7 can reduce the ground dependence of the sub-atmospheric CVD, improve the film formation rate of the silicon oxide film in the trench 5, and improve the film quality.例文帳に追加

ＨＣＤ−シリコン窒化膜７により、準常圧ＣＶＤの下地依存性が軽減され、トレンチ５内でのシリコン酸化膜の成膜速度が向上し、膜質も向上する。 - 特許庁