Indium gallium arsenideとは 意味・読み方・使い方

iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.)発音を聞く 例文帳に追加

３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less)発音を聞く 例文帳に追加

３　主材料にＩＩＩ—ＩＶ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いた光電陰極（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

v) Among equipment which uses optical detectors having a direct field of vision, that which falls under any of the following (excluding medical equipment which do not have built-in photocathodes and which uses gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material発音を聞く 例文帳に追加

五　光検出器を用いた装置であって、直視型のもののうち、次のいずれかに該当するもの（医療用装置であって、主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極を組み込んでいないものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

This semiconductor element is provided with: the indium-based compound semiconductor thin film formed on a substrate 1 made of a gallium arsenide.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。 - 特許庁

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HETERO-FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いたヘテロ電界効果トランジスタとその製造方法 - 特許庁

It is particularly useful for high power, high frequency transistors, e.g. base on gallium indium arsenide.例文帳に追加

このことは、高電力、高周波数トランジスタ、例えば、ヒ化ガリウムインジウム上のベース、に対して特に有用である。 - 特許庁

To provide a method of easily growing a good quality crystal from a group III-V compound semiconductor containing at least indium, gallium, antimony and arsenide in composition.例文帳に追加

少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁