KeVとは 意味・読み方・使い方

Here, the energy range of the ion beam B, generated by the accelerated voltage, is to be set at 1 keV or higher and lower than 20 keV.例文帳に追加

この際、加速電圧によって生じるイオンビームＢのエネルギー範囲を１ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ未満に設定する。 - 特許庁

The step of implanting the ions implants the ions with 520 keV or more.例文帳に追加

イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。 - 特許庁

By the above described structures, a high speed acceleration of 10 keV or more is realized.例文帳に追加

以上の構造により１０ｋｅＶ以上の高加速を実現できた。 - 特許庁

In the steps shown on Fig. (b)-Fig.(d), ions are implanted in the single crystal silicon film 30 with implantation energy quantities of "30 keV", "100 keV" and "170 keV".例文帳に追加

次に、図８（ｂ）〜図８（ｄ）に示す工程において、上記単結晶シリコン膜３０に、それぞれ注入エネルギ量を、「３０ｋｅＶ」、「１００ｋｅＶ」、「１７０ｋｅＶ」としてイオン注入を行う。 - 特許庁

Typically, the accelerating voltage used in focused ion beam (FIB) systems ranges from 5 to 30 keV. 発音を聞く 例文帳に追加

典型的には、集束イオンビーム(FIB)システムで使われる加速電圧は5〜30keVにわたる。 - 科学技術論文動詞集

The electron gun 12 has a function capable of setting primary energy from 10 eV to 30 keV.例文帳に追加

ここで電子銃１２は１次電子エネルギを１０ｅＶから３０ｋｅＶまで設定できる機能を持つ。 - 特許庁

After implanting atomic oxygen ions into a silicon wafer by acceleration energy ≥40 keV and <100 keV or implanting oxygen molecular ions by the acceleration energy ≥80 keV and <200 keV, heat treatment is conducted in the atmosphere of an oxygen concentration ≥1%, without having to apply heat treatment of the oxygen concentration <1%.例文帳に追加

シリコンウェーハに、酸素原子イオンを加速エネルギー４０ｋｅＶ以上１００ｋｅＶ以下で注入するか、酸素分子イオンを加速エネルギー８０ｋｅＶ以上２００ｋｅＶ以下で注入した後、酸素濃度１％未満の熱処理を行うことなく、酸素濃度１％以上の雰囲気で熱処理を施す。 - 特許庁

In a practical example, the one ion generation device 10 generates ions in the range of around 3-80 keV and the other ion generation device 22 generates ions in the range of around 80-3,000 keV.例文帳に追加

好ましい実施例においては、一方のイオン発生装置１０は、約３−８０ｋｅＶの範囲のイオンを発生し、他方のイオン発生装置２２は、約８０−３，０００ｋｅＶの範囲のイオンを発生する。 - 特許庁