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LDD structureとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 LDD構造
「LDD structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 149件
To provide an active matrix display device having a novel structure of an LDD region.例文帳に追加
LDD領域の新規な構造を有するアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁
Therefore, the concentration of electric field in the pn junction part is relieved and the merits of an LDD structure are utilized effectively.例文帳に追加
このため、pn接合部における電界の集中が緩和され、LDD構造の利点が有効に生かされる。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE IN LDD STRUCTURE例文帳に追加
LDD構造の半導体装置の製造方法 - 特許庁
The polysilicon layer has a channel region 38, an LDD structure 36 in a periphery of the channel region, and a source/ drain region 34 in a periphery of the LDD structure.例文帳に追加
ポリシリコン層は、チャネル領域38、前記チャ ネル領域周辺のLDD 構造36、前記LDD 構造周辺のソース/ドレイン領域34とを備える。 - 特許庁
The GOLD structure is formed in less number of processes, and generation of asymmetry of the left and right LDD regions is prevented, thereby variations of property of the GOLD structure is prevented.例文帳に追加
少ない工程数でGOLD構造を形成し、左右のLDD領域における非対称性の発生を抑えて特性のばらつきを抑制することができる。 - 特許庁
THIN-FILM TRANSISTOR HAVING LDD/OFFSET STRUCTURE例文帳に追加
LDD/オフセット構造を具備している薄膜トランジスター - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
LDD構造を有する薄膜トランジスタとその製造方法 - 特許庁
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「LDD structure」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 149件
THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
LDD構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
The other thin film transistor having a first LDD structure and a second LDD structure which is adjacent to the first LDD structure is also provided.例文帳に追加
他の薄膜トランジスタとして、第1のLDD構造と第2のLDD構造を有し、第2のLDD構造が第1のLDD構造に隣接したものが提供される。 - 特許庁
To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加
ゲートスペーサ膜を形成せずに1回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁
To provide a higher driving capacity than with a single LDD structure by improving hot carrier resistance compared to a concentional MOSFET of single LDD layer and double LDD layer structure.例文帳に追加
従来の1重LDD層及び2重LDD層構造のMOSFETよりもホットキャリア耐性を改善し、1重LDD層構造のものよりも高駆動能力化する。 - 特許庁
To prevent occurrence of variations of property of a Gate-Overlapped LDD (GOLD) structure caused by generation of asymmetry of left and right LDD regions resulting from overlapping accuracy, in a photoengraving process at the time of gate electrode formation, in the manufacturing method of the GOLD structure for improving reliability.例文帳に追加
信頼性向上のためのGate-Overlapped LDD(GOLD)構造の製造方法において、ゲート電極形成時の写真製版工程で、重ね合わせ精度に起因して左右のLDD領域に非対称性が発生することによって、特性のばらつきが発生することを抑制する。 - 特許庁
GOLD structure and LDD structure can separately be used according to circuit specifications.例文帳に追加
回路仕様に応じてGOLD構造とLDD構造とを使い分けることができる。 - 特許庁
A single LDD structure 224 is positioned between a source/drain structure 2211 and 2221.例文帳に追加
単一LDD構造224がソース/ドレイン構造2211,2221の間に配置される。 - 特許庁
Thus the GOLD structure and the LDD structure can be properly used corresponding to a circuit type.例文帳に追加
このように回路仕様に応じてGOLD構造とLDD構造とを使い分けることができる。 - 特許庁
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