Mefとは 意味・読み方・使い方

To provide a resist composition, forming a pattern having excellent shape, focus margin (DOF) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた形状、ＤＯＦ及びＭＥＦを有するパターンを形成するレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

10. We instruct the EWG and EGEEC to strengthen the APEC Energy Standards Information System (ESIS) and to conduct a series of Collaborative Assessments of Standards and Testing (CAST) for the energy-intensive appliances identified by CEEDS in cooperation with the Renewables and Efficiency Deployment Initiative (Climate REDI) of the Major Economies Forum (MEF).発音を聞く 例文帳に追加

10.我々は、EWGと EGEECに対し、APECエネルギー標準情報システム(ESIS)を強化するとともに、主要経済国フォーラム(MEF)の再生可能エネルギー・省エネルギー普及イニシアティブ(Climate REDI)とも協力しつつ、CEEDSによって明らかにされたエネルギー消費の多い機器を対象とした一連の標準・評価法に関する調査(CAST)を実施することを指示する。 - 経済産業省

To control linewidth variation and bias resulting from MEF changes and reticle linewidth variations in a printed substrate by correcting exposure dose and partial coherence at different spatial locations.例文帳に追加

基板におけるＭＥＦ変化およびレチクルライン幅変動から生じるライン幅変動およびバイアスを種々異なる空間的位置での露光量と部分可干渉性の補正によってコントロールする。 - 特許庁

To provide a photomask pattern verification method, capable of preventing abnormality in a resist pattern due to occurrence of an MEF (mask error factor) in a semiconductor manufacturing process and capable of determining the photomask pattern that has a suitable shape.例文帳に追加

半導体製造工程でのＭＥＦの発生に起因するレジストパターンの異常を抑制することができ、適した形状のフォトマスクパターンを判定できるフォトマスクパターンの検証方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a salt excellent in exposing margin (EL) and mask error factor (MEF) when forming a resist pattern; an acid generator including the salt; and a resist composition including the acid generator.例文帳に追加

レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a monomer for resins of resist compositions forming patterns having excellent line edge roughness (LER) and mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の樹脂用モノマーを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition for acquiring a pattern having a high focus margin (DOF), CD uniformity (CDU), and a mask error factor (MEF), and a forming method of a resist pattern using the resist composition.例文帳に追加

優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist composition which shows high resolution, good configuration, a depth of focus (DOF), a good mask error factor (MEF) and good CD uniformity (CDU).例文帳に追加

高い解像度；良好な形状、フォーカスマージン（ＤＯＦ）、マスクエラーファクター（ＭＥＦ）及びＣＤ均一性（ＣＤＵ）を示すレジスト組成物を提供する。 - 特許庁