Phase IIIとは 意味・読み方・使い方

GAS PHASE GROWING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

気相成長装置、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

To easily back-extract trivalent and tetravalent actinoid ions in an aqueous phase after extracting the trivalent and tetravalent actinoid ions such as Np (IV), Pu (III), Pu (IV), Am (III) and Cm (III) in an organic solvent so as to contribute to the process design for spent fuel reprocessing or the like.例文帳に追加

Np(IV)，Pu(III) Pu(IV)，Am(III)，およびCm(III)のような３，４価のアクチノイドイオンを有機溶媒に抽出した後に簡便に水相に逆抽出することは使用済み燃料再処理などのプロセス設計において重要な課題である。 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH METHOD AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN-FILM CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の気相成長方法および気相成長装置 - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

気相成長装置およびＩＩＩ族窒化物半導体膜の形成方法 - 特許庁

In a process S2, the group III organic metal matter is stopped from being supplied into the vapor phase growth apparatus 11 at the time t1 to finish the growth of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。 - 特許庁

To provide a gas phase growing apparatus which can prevent corrosion of the inner wall of a reaction gas supply part, a manufacturing method of a group III nitride semiconductor substrate, and the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

反応ガス供給部の内壁の腐食を防止することができる気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.例文帳に追加

成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁