Ru oxideとは 意味・読み方・使い方

A conductive material contains a composite oxide of Er and Ru, i.e., Er_2Ru_2O_7.例文帳に追加

ＥｒとＲｕの複合酸化物、すなわちＥｒ_2Ｒｕ_2Ｏ_7を含有する導電性材料である。 - 特許庁

RuO_2 is contained as the conductive material, and at least one kind of the composite oxide of Lu and Ru and the composite oxide of Er and Ru is contained.例文帳に追加

導電性材料としてＲｕＯ_2を含有するとともに、ＬｕとＲｕの複合酸化物、ＥｒとＲｕの複合酸化物の少なくとも１種を含有する。 - 特許庁

The crystal size of the Ru complex oxide particle is controlled by applying heat treatment to the Ru complex oxide particle obtained by sintering, and the average particle size is controlled by crushing it.例文帳に追加

焼成により得られたＲｕ複合酸化物粒子を熱処理することによりＲｕ複合酸化物粒子の結晶子サイズが制御され、さらに粉砕することにより平均粒径が制御されている。 - 特許庁

The Ru-Mn-O fine powder is manufactured by mixing a Ru compound and an Mn compound with boron oxide or boric acid, subjecting the obtained mixture to a heat-treatment at 500-1,000°C and dissolving and removing boron oxide from the obtained heat-treated product.例文帳に追加

Ｒｕ化合物とＭｎ化合物を酸化ホウ素又はホウ酸と混合し、得られた混合物を５００〜１０００℃で熱処理した後、得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去して、Ｒｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を製造する。 - 特許庁

When the interface layer comes into contact with Ru, RuO_2 and PZT so as to be composed of a metal oxide layer composed of an oxide by Pb, Ti and Ru, a ferroelectric characteristic which is industrially sufficient is displayed.例文帳に追加

しかし、この界面層がＲｕに接してＲｕＯ２、ＰＺＴに接してＰｂ、Ｔｉ、Ｒｕの酸化物よりなる金属酸化層よりなるならば工業的には充分な強誘電体特性が示すものが得らた。 - 特許庁

In order to solve the Ru-based composite oxide and the TCR adjuster, RuO_2, the material compound of the Ru-based composite oxide and the TCR adjuster are previously mixed and the mixture is baked.例文帳に追加

Ｒｕ系複合酸化物及びＴＣＲ調整剤を固溶するには、ＲｕＯ_2、Ｒｕ系複合酸化物の原料化合物及びＴＣＲ調整剤を予め混合し、混合物を焼成する。 - 特許庁

The oxide coating film 2 is made of oxide of at least one platinum group metal selected among Ir, Ru and Rh.例文帳に追加

又、酸化物被膜２が、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈから選ばれた少なくとも一種の白金族金属酸化物からなる。 - 特許庁

The surface layer of a silicon oxide film 37 including the inside of a groove 38 is spin-coated with a solution containing Ru as a main composition, it is dried at about 600 to 700°C, a seed layer 39 constituted of the Ru is formed, and an Ru film is deposited by a CVD method while the seed layer 39 is used as a seed.例文帳に追加

溝３８の内部を含む酸化シリコン膜３７の上層にＲｕを主成分として含む溶液を回転塗布した後、６００〜７００℃程度で乾燥させることでＲｕによって構成されるシード層３９を形成し、続いてシード層３９を種にＣＶＤ法でＲｕ膜を堆積する。 - 特許庁