SDEとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device reducing the parasitic resistance of an SDE suitable for microfabrication, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細化に適したＳＤＥの寄生抵抗を小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the coil element, coil intervals SCD, SDE in an intermediate winding region R2 of a spiral coil 14 are each wider than coil intervals SAB, SBC, SEF and SFG in the other winding regions (internal and external circumferential winding regions R1 and R3).例文帳に追加

スパイラルコイル１４の中間巻回領域Ｒ２におけるコイル間隔ＳＣＤ，ＳＤＥが、他の巻回領域（内周側巻回領域Ｒ１，外周側巻回領域Ｒ３）におけるコイル間隔ＳＡＢ，ＳＢＣ，ＳＥＦ，ＳＦＧよりも広くなっている。 - 特許庁

In an SOI device, the geSiGe-SDE generates a horizontal (parallel to the plane of the gate's dielectric) pressure stress and a vertical (perpendicular to the plane of the gate's dielectric) tensile stress in a PMOSFET channel, thereby forming a structure that will make the PMOSFET performance improved.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおいては、ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥは、水平方向の（ゲート誘電面に対して平行な）圧縮応力と、垂直方向の（該ゲート誘電面に対して直角の）引張り応力とをＰＭＯＳＦＥＴのチャネルに生成し、これによって、ＰＭＯＳＦＥＴ性能を向上させる構造を形成する。 - 特許庁

In a vehicle fore-and-aft direction front side portion of the locker 10, a front sde reinforcement 14 (a front side high stiffness portion) is provided at an upper side corner portion on an inside in a vehicular width direction, so that stiffness to the bending compression at the upper side corner portion can be improved.例文帳に追加

ロッカ１０の車両前後方向前側部において、車幅方向内側の上側隅部に前側リインフォースメント１４（前側高剛性部）を設けているので、該上側隅部における曲げ圧縮に対する剛性を高めることができる。 - 特許庁

The P-type MOSFET seals a gate 110 with an insulating material, forms a germanium-containing layer outside a sidewall 105, then diffuses germanium into a silicon layer or bulk silicon on an insulator through annealing or oxidization, and thus forms a slanted, built-in source/drain 40 of silicon-germanium and/or an extension section (geSiGe-SDE).例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、ゲート１１０を絶縁体で封止し、ゲルマニウム含有層を側壁１０５の外側に成層させ、次いで、アニーリング又は酸化により、ゲルマニウムを絶縁体上シリコン層又はバルクシリコンの中に拡散させて、勾配付き組み込みシリコン−ゲルマニウムのソース−ドレイン４０及び／又は延長部（ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥ）を形成する。 - 特許庁