al thin filmsとは 意味・読み方・使い方

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al, and first and second metal thin films 3a which are provided at the tip of the lead body 3A and protrudes from this tip position.例文帳に追加

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、この先端位置から突き出した第1及び第２の金属薄膜３ａを有している。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 10, an Al alloy film 19 is stacked on a CrSi film 14 forming a thin-film resistance α with a TEOS film 17 in between, and the films 14 and 19 form a capacitor β.例文帳に追加

半導体装置１０では、薄膜抵抗素子αを構成するＣｒＳｉ膜１４にＴＥＯＳ膜１７を介してＡｌ合金膜１９を積層し、それら各膜１４，１９によってキャパシタ素子βを構成している。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁

When a metal such as Al or Ag having high light reflection efficiency is used as the material serving as an electron and hole source, even if an area ratio of the metal to the phosphor surface is set to 50%, probability (η) of light finally coming out to the outside attains to about 90% by repetition of reflection-absorption on metal thin films, accordingly there is substantially no problem on luminous efficiency.例文帳に追加

電子及び正孔の供給源となる材料として光の反射効率の高いAl、Agなどの金属を使用した場合、蛍光体表面に占める面積比率を５０％としても、金属薄膜において反射・吸収を繰り返すことにより、最終的に外部に出ることが出来た光の確率（η）は約90％となり、発光効率上はほとんど問題がない。 - 特許庁

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al and a pair of first and second metal thin films 3a which is provided at the tip of the lead body 3A and protrudes from this tip position, and these tips come into contact with each other.例文帳に追加

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、この先端位置から突き出した一対の第1及び第２の金属薄膜３ａを有し、これらの先端は互いに接触している。 - 特許庁

Pt, Cu, Ag, Pd, Ru, Ta, Ti, Au, In, Zn, Ni, Fe, Mn, Cr, V, Al, Mg and the like, the alloys of these various metallic elements, the alloys of these alloys and Pt and the like are used preferably as materials for the metallic thin-films 3b and 3d for the reinforcement.例文帳に追加

強化用金属薄膜３ｂ、３ｄの材料としては、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｍｇ等々、これら各種金属元素の合金、これらとＰｔとの合金等が好適に用いられる。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁