意味 | 例文 (185件) |
al-oとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「al-o」の意味 |
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ALO
fission_yeast | 遺伝子名 | ALO |
同義語(エイリアス) | D-arabinono-1,4-lactone oxidase; SPAPB1A10.12c; alo1; L-galactono-gamma-lactone oxidase | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9HDX8 | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | GeneDB_SPombe:SPAPB1A10.12c |
fly | 遺伝子名 | alo |
同義語(エイリアス) | alopecia | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:247746 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000068 |
yeast | 遺伝子名 | ALO |
同義語(エイリアス) | D-arabinono-1,4-lactone oxidase; ALO1; L-galactono-gamma-lactone oxidase; YML086C | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P54783 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:854888 | |
その他のDBのID | SGD:S000004551 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- GeneDB_SPombe
- サンガー研究所により運営されている、分裂酵母の一種であるS. pombe の遺伝子情報に関するデータベース。
- FlyBase
- 米英の大学のショウジョウバエの研究者などにより運営される、ショウジョウバエの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
- SGD
- スタンフォード大学医学部内で運営されている、出芽酵母の一種のSaccharomyces cerevisiaeの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
「al-o」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 185件
Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加
酸窒化アルミニウム層は、Al−O−N固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁
The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加
前記コア部2は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部3はSiO_2から形成される。 - 特許庁
An oxidizing agent consisting essentially of manganese oxide and metal aluminum and/or an aluminum compound are blended so that the ratio (Al)/(O) of the aluminum content: (Al) wt.% in a desiliconizing agent to oxygen content: (O) wt.% contributed to the desiliconizing reaction in this desiliconizing agent satisfies 0<(Al)/(O)≤0.2×(71/16)/(102/54).例文帳に追加
脱珪剤中のアルミニウム分:(Al)(wt%)と、該脱珪剤中の脱珪反応に寄与し得る酸素分:(O)(wt%)との比、(Al)/(O)が0<(Al)/(O)≦0.2 ×(71/16)/(102 /54)を満足するように、マンガン酸化物を主とする酸化剤と、金属アルミニウムおよび/またはアルミニウム化合物とを配合する。 - 特許庁
This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加
透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁
The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加
Li(Al, Ga)O_X基板(1≦x≦3)7上に、分子線エピタキシ法により少なくとも1つの第一のIII-N層15を堆積させる工程を備える。 - 特許庁
The AE-Al-O phase and the RE-Al-O phase or the AE-RE-Al-O phase and the RE-Al-O phase coexist at the grain boundary phases of the aluminum nitride sintered compact and the average crystal grain size of the aluminum nitride sintered compact is ≤3 μm.例文帳に追加
窒化アルミニウム焼結体の粒界相には、AE−Al−O相とRE−Al−O相、もしくはAE−RE−Al−O相とRE−Al−O相とが共存しており、かつ窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径は 3μm 以下である。 - 特許庁
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該当件数 : 185件
The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加
下地高抵抗層22はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層23も同様の組成で形成される。 - 特許庁
The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加
下部層31はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層33も同様の組成で形成される。 - 特許庁
The low-temperature calcination porcelain is composed of Ba-Ti-Zn-O system, or of Ba-Nd-Ti-Bi-O system, or of Ba-Al-Si-O system.例文帳に追加
低温焼成磁器が、Ba−Ti−Zn−O系、Ba−Nd−Ti−Bi−O系またはBa−Al−Si−O系の磁器である。 - 特許庁
The porcelain to be fired at a low temperature is Ba-Ti-Zn-O system, Ba-Nd-Ti- Bi-O system or Ba-Al-Si-O system porcelain.例文帳に追加
低温焼成磁器が、Ba−Ti−Zn−O系、Ba−Nd−Ti−Bi−O系またはBa−Al−Si−O系の磁器である。 - 特許庁
The Al oxide layer is directly connected to a transparent pixel electrode 3, [O]/[Al] being a ratio of O atomic number and Al atomic number in the Al oxide layer is 0.30 or less, and the thickness of the thinnest part of the Al oxide layer is 10 nm or less.例文帳に追加
Al酸化物層は透明画素電極3と直接接続しており、Al酸化物層中のO原子数とAl原子数との比である[O]/[Al]が、0.30以下であり、Al酸化物層の最も薄い部分の厚みが10nm以下である。 - 特許庁
The Al/O in the weld metal is regulated to over 0.5 and below 1.2 preferably from the viewpoint of the improvement in the weld metal toughness.例文帳に追加
なお、溶接金属靭性向上の観点からは、溶接金属中のAl/Oを0.5 超え1.2 未満に調整することが好ましい。 - 特許庁
The oxidation suppressing element includes O, and includes one kind or two kinds of Al and V, or Sn.例文帳に追加
酸化抑制元素がOを含み、さらに、Al、Vの1種または2種またはSnを含む。 - 特許庁
SOL COMPRISING AL-O-BASED PARTICLE AS DISPERSOID, ITS PRODUCTION METHOD, AND ALUMINA PARTICLE例文帳に追加
Al−O系粒子を分散質とするゾル及びその製造方法並びにアルミナ粒子 - 特許庁
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