alternate memoryとは 意味・読み方・使い方

A writing device 2 acquires at first defective area information from the memory 1 of an NAND type flash memory, and prepares an error control data 52 including alternative information indicating a relation between a defective area and an alternate area.例文帳に追加

書込装置２は、まず、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるメモリ１から不良領域情報を取得し、不良領域と代替領域との関係を示す代替情報を含むエラーコントロールデータ５２を作成する。 - 特許庁

The information processor comprises a power supply part which outputs power upon receipt of supply of an alternate current from the outside, a nonvolatile memory, a volatile memory, and a control part which is connected with the nonvolatile memory and the volatile memory and controls, upon receipt of the power from the power supply part, to transfer a program from the nonvolatile memory to the volatile memory.例文帳に追加

外部から交流電流が供給されると電源を出力する電源部と不揮発性メモリと揮発性メモリと不揮発性メモリと揮発性メモリとが接続され、電源部から電源が供給されると、不揮発性メモリから揮発性メモリへプログラムを転送するべく制御する制御部をもつ情報処理装置。 - 特許庁

Only subset of possible prefix lengths are accommodated by the hash tables, a remainder of prefixes is handled by the content addressable memory or a similar alternate address lookup facility.例文帳に追加

可能なプレフィックス長のサブセットのみがハッシュテーブルにより収容され、プレフィックスの残部は内容参照可能メモリ又は同様の代替的なアドレスルックアップファシリティにより取扱われる。 - 特許庁

When any alternate binary code is determined to coincide with a pattern data previously stored into a memory means, an angle of rotation data corresponding to the pattern data is selected to define the angle of rotation data as an angle of rotation.例文帳に追加

そして、記憶手段に予め記憶されているパターンデータと、交番２進符号とが一致すると判定された場合には、パターンデータに対応する回転角度データが選択され、その回転角度データを回転角度と断定する。 - 特許庁

The data written in the memory 302 in the columnar sequence are read in a zigzag scanning sequence or alternate scanning sequence and outputted to a Huffman coding section 303.例文帳に追加

メモリ３０２に列方向順序で書き込まれたデータをジグザグスキャン順序またはオルタネートスキャン順序で読み出し、ハフマン符号化処理部３０３へ出力する。 - 特許庁

A physical block is divided into at least a data page 222 and an alternative page 223 as a means for controlling a nonvolatile semiconductor memory 2, and data are written in a new alternate page 223 each time a write-in request is made from a host device 3.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ２を制御する手段として、物理ブロックを少なくともデータページ２２２と交替ページ２２３とに分割し、ホスト装置３からの書込み要求毎に、新たな交替ページ２２３に書き込みを行う。 - 特許庁

In a non-volatile memory 14 to be used for an IC card C, an alternate area is preliminarily prepared for the storage area of data whose rewrite frequency is high, and when the writing error of data is occurred in the storage area, the area in which the data are recorded is changed to the alternate area so that the data can be recorded.例文帳に追加

ＩＣカードＣに用いられる不揮発性メモリ１４において、予め書換え頻度の高いデータの記憶領域に対して代替領域を用意しておき、上記記憶領域へのデータの書込みエラーが発生した場合には当該データを記録する領域を代替領域に変更して記録するようにしたものである。 - 特許庁

Information of a down B highway and an SG/D highway inputted from a time switch is written to the down B memory 15 and SG/D memory 16, and read out of both memories alternately by a common RE generating circuit 17 sending an alternate readout indication and then multiplexed onto a down transmission line 19.例文帳に追加

時間スイッチから入力された下りＢハイウェイ、ＳＧ／Ｄハイウェイの情報は、下りＢ用メモリ１５とＳＧ／Ｄ用メモリ１６とに書き込まれ、交互に読み出す指示を出す共通ＲＥ生成回路１７で、両メモリから交互に読み出され下り伝送路１９に多重される。 - 特許庁