backscatteringとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, the electron backscattering diffraction image in the deteriorated domain is imaged (step S13).例文帳に追加

その後、劣化領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１３）。 - 特許庁

Then, the electron backscattering diffraction image in the observation domain of the sample is imaged (step S14).例文帳に追加

さらに、試料の観察領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

By this, backscattering is surely suppressed and the contrast of the X-ray image is improved.例文帳に追加

これにより、後方散乱を確実に抑え、Ｘ線画像のコントラストの向上を図ることができる。 - 特許庁

Scanning electron rays (incident rays) are intermittently applied to a sample 6, backscattering electrons generated when the electrons are applied to the sample 6 are detected by a backscattering electron detector 22, and the time difference between the electrons applied to the sample 6 and the backscattering electrons detected by the backscattering electron detector 22 is compared and measured, thus measuring the shape of a sample surface.例文帳に追加

試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 - 特許庁

Since both N_s,source and V_thermal can be increased in the formula (1) while the increase of a backscattering coefficient r (0≤r≤1) is suppressed, the normal saturation drain current I_d,sat/W per unit channel W can be increased.例文帳に追加

式（１）において、backscattering係数ｒ（０≦ｒ≦１）の増大を抑えつつ、Ｎ_s,sourceとＶ_thermalの両方を増大させることができるので、単位チャネルＷあたりの定常飽和ドレイン電流Ｉ_d,sat／Ｗを大きくすることができる。 - 特許庁

In a direct electron detector, backscattering of electrons into the detector volume from below a sensor is prevented.例文帳に追加

直接型電子検出器において、センサ下方から検出器体積へ入り込む電子の後方散乱が防止される。 - 特許庁

GENERATION METHOD AND GENERATION PROGRAM OF BACKSCATTERING INTENSITY IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING THAT METHOD例文帳に追加

荷電粒子ビーム露光における後方散乱強度の生成方法，生成プログラム及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 - 特許庁

The layer 5a showing the backscattering properties has a string of high density consisting of liquid crystal drops having 0.15 to 0.2 μm size.例文帳に追加

前記強い後方散乱を示す層５ａは、０．１５〜０．２μｍの液晶滴による高密度の連なりを有している。 - 特許庁