body-centered latticeとは 意味・読み方・使い方

To provide a deposition method capable of securely and easily etching back metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and to provide a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The photonic crystalline body 2 consists of a face-centered cubic lattice structure two-dimensionally or three-dimensionally arrayed with rod-like GaAs at specified intervals and has photonic bands.例文帳に追加

フォトニック結晶体２は、棒状のＧａＡｓを一定間隔で２次元的もしくは３次元的に配列した面心立方格子構造から成り、フォトニックバンドを有する。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

At the joint part 3 of Ti alloys 1 and 2, a metal structure after the Ti alloys 1 and 2 are jointed, is one of an α-phase equiaxed structure having a close-packed cubic lattice, an (α+β)-phase equiaxed structure where two phases of the α-phase and the β phase having a body-centered cubic lattice coexist, and a β-phase equiaxed structure.例文帳に追加

Ｔｉ合金１，２の接合部３において、Ｔｉ合金１，２の接合後の金属組織が、最密立方格子の構造を有するα相の等軸組織、α相と体心立方格子の構造を有するβ相との２相が共存しているα＋β相の等軸組織、及びβ相の等軸組織のいずれかである。 - 特許庁

The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state.例文帳に追加

体心立方格子構造を有する高融点金属のＮｂ固溶体とＢ２型金属間化合物ＴｉＮｉとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるＮｂ相と常伝導相となるＴｉＮｉ相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。 - 特許庁

The deposition method is a method of a metal film at least a part of which is etched after deposition, wherein the metal film consisting of the metal or the ruthenium is formed on a substrate, by flowing source gas and nitrogen gas on the substrate to decompose the source gas, the source gas is composed of gas involving the metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and hydrogen gas.例文帳に追加

成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、 結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 - 特許庁

The gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a metallic member, a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is provided on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に金属部材、窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

A base layer 12 of the lead layer 13 is formed of ruthenium having the orientation plane (100) of a hexagonal crystal structure, and a low-resistance tantalum having a body-centered lattice structure is epitaxially grown on the ruthenium base layer 12 and laminated to form a tantalum conductive layer 11.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１５に対してオーバーラップ状態で電極リード層１３を形成するに、電極リード層１３の下地層１２として六方格子型の結晶構造で（１００）配向面をもつルテニウムで成膜し、そのルテニウムの下地層１２の上に体心立方格子型の構造を持った低抵抗なタンタルをエピタキシャル成長をもって積層してタンタル導電層１１となす。 - 特許庁