clad contactとは 意味・読み方・使い方

SILVER-CLAD COMPOSITE MATERIAL FOR MOVABLE CONTACT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

可動接点用銀被覆複合材料およびその製造方法 - 特許庁

A lower clad layer 2A, a lower SCH layer 3A, an active layer 4, an upper SCH layer 3B, an upper clad layer 2B and a contact layer 5.例文帳に追加

半導体基板１上に、下クラッド層２A、下ＳＣＨ層３A、活性層４、上ＳＣＨ層３B、上クラッド層２B、コンタクト層５を有している。 - 特許庁

At this time, the second upper die 6 is deformed and is brought into tight contact with the surface of the clad substrate 1 without deforming the clad substrate 1.例文帳に追加

このとき、クラッド基板１が変形することなく、第２の上型６が変形されて、クラッド基板１の表面に密着する。 - 特許庁

A resin 9 is brought into contact with the substrate, a lower clad 2, a core 3, and an upper clad 4, respectively.例文帳に追加

樹脂９が基板１と下部クラッド２とコア３と上部クラッド４の各々に接する構造をとらせる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes on a substrate 10: a buffer layer 11; a lower clad layer 12; an active layer 13; an upper clad layer 14; and a contact layer 15.例文帳に追加

基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびコンタクト層１５を備える。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁