flash trapとは 意味・読み方・使い方

To prevent degradation of performance caused by occurrence of trap and defect due to movement of electrons in a tunnel oxide film with respect to an AND type flash memory in which memory cells consisting of nMOS transistors are arranged in (m) rows and (n) columns.例文帳に追加

ｎ型のＭＯＳトランジスタからなるメモリセルがｍ行ｎ列に配列されているＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、電子の移動によりトンネル酸化膜にトラップや欠陥が発生して性能が低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a charge trap flash memory cell with multi-doped layers in an active region, a memory array using the memory cell and an operating method of the same.例文帳に追加

アクティブ領域に複数層のドーピング層を有する電荷トラップフラッシュメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-k dielectric layer that may be utilized to form a metal gate structure in TANOS charge trap flash memories.例文帳に追加

ＴＡＮＯＳ電荷トラップフラッシュメモリにおいて金属ゲート構造を形成するために用いることができる高ｋ誘電体層を形成する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁

In a flash memory having, for example, a single gate type memory cell consisting of a gate electrode provided through a thin electric charge trap layer on a semiconductor substrate, the device is characterized in that after data is written in the memory cell, a short pulse is applied to the memory cell so that one part of electrons is eliminated from the electric charge trap layer.例文帳に追加

半導体基板上の薄い電荷トラップ層を介して設けられたゲート電極からなる例えば単ゲート型メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記メモリセルに対してデータ書込み後、前記電荷トラップ層から電子を一部排除するよう前記メモリセルに対して短パルスを加えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 特許庁

To prevent charges accumulated in a charge accumulating area of a trap film of a MONOS-type (metal oxide nitride oxide silicon-type) to migrate, by only simply changing the structure of the MONOS-type flash memory, and to resolve a problem that the read margin of the memory reduces.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリに関し、ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリの構造に簡単な改変を加えるのみで、トラップ膜の電荷蓄積領域に蓄積される電荷がマイグレーションすることを抑止し、メモリの読み出しマージン縮小の問題を解消しようとする。 - 特許庁