heavy implantationとは 意味・読み方・使い方

Thus, implantation using the heavy ion is conducted to the pocket region to positively make a pocket diffusion layer 17 amorphous.例文帳に追加

このようにポケット領域に対して重イオンを用いた注入を行なうことにより、ポケット拡散層１７を積極的にアモルファス化する。 - 特許庁

A heavy metal which may be introduced in the device post-process by a contamination protection layer 11x formed by the ion implantation is subjected to gettering.例文帳に追加

イオン注入によって形成される汚染保護層１１ｘによってデバイス後工程で導入されうる重金属をゲッタリングすることができる。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can improve efficiency of gettering by preventing re-emission of heavy metals and growth of implantation defects to an element active region.例文帳に追加

重金属の再放出及び注入欠陥の素子活性領域への成長を防止してゲッタリングの効率を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method that directly utilizes the deterioration brought about by the implantation of a non-gaseous heavy species into a substrate formed of at least two elements, at least one of which can form a gaseous phase, to cause fracturing the substrate into a thin film layer and a residual substrate.例文帳に追加

少なくとも一方の元素が気相を形成可能な、少なくとも２個の元素からなる基板に、ガス種でない重い種を注入してもたらされる劣化をまさに利用して、基板を薄膜層と残留基板とに破断する。 - 特許庁

To achieve a configuration capable of accordingly setting time for extracting minority carriers by implantation amount of the minority carriers, and to optimize low VF characteristics, short Trr, and low Qrr according to, for example, a purpose of use and an aspect of a device without using a technique such as heavy-metal diffusion.例文帳に追加

小数キャリアの注入量により少数キャリアを引き抜くための時間を適宜設定可能な構成とし、重金属拡散等の技術を利用することなく、低ＶＦ特性と、短Ｔｒｒ、低Ｑｒｒを、デバイスの使用目的及び態様等に応じて最適化する。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁