insulated gate field effect transistorsとは意味・読み方・使い方

ピン留め

追加できません

(登録数上限)

単語を追加

Weblio専門用語対訳辞書での「insulated gate field effect transistors」の意味

insulated gate field effect transistors

電界効果トランジスタ

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

出典元索引用語索引ランキング

「insulated gate field effect transistors」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12件

例文

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置 - 特許庁

A semiconductor device 70 is provided with a plurality of insulated-gate field-effect transistors on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置７０には、半導体基板１上に複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit, wherein insulated gate field effect transistors with different thresholds are formed in the same well region.例文帳に追加

同一ウェル領域にしきい値の異なる絶縁ゲート電界効果トランジスタが形成された半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit device is constituted by integrating a plurality of insulated gate type field effect transistors.例文帳に追加

本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを複数個集積して成る集積回路装置とする。 - 特許庁

In metal, oxide, and semiconductor field effect transistors as well as an insulated gate bipolar transistor; a location having an interface with a high-concentration impurity layer tends to be subjected to reduction of the withstand voltage of the insulating film.例文帳に追加

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜の絶縁耐圧が低下しやすい箇所は高濃度不純物層と界面をもつ箇所である。 - 特許庁

Gates 14G of the insulated gate type field effect transistors and wiring layers 14L facing the gates 14G are composed of NbCN films which turned to superconducting states under cryogenic circumstance.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート14G とこれに対する配線層14L とを、極低温環境下で超電導状態になるNbCN膜から構成する。 - 特許庁

例文

To provide metal, oxide, and semiconductor field effect transistors, as well as an insulated gate bipolar transistor, which have a structure capable of preventing reduction of the withstand voltage of an insulating film while avoiding change of characteristics of a prior art structure.例文帳に追加

従来構造の特性を変えずに、絶縁膜の絶縁耐圧が低下を防いだ構造をもつ金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る

調べた例文を記録して、効率よく覚えましょう

Weblio会員登録無料で登録できます！

履歴機能

過去に調べた
単語を確認!
語彙力診断

診断回数が
増える!
マイ単語帳

便利な
学習機能付き!
マイ例文帳

文章で
単語を理解!

Weblio会員登録(無料)はこちらから

「insulated gate field effect transistors」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12件

例文

To provide an integrated circuit device using insulated gate type field effect transistors where signal transmission delay is remarkably reduced under the actual operation of an element.例文帳に追加

本発明は、素子実働下で信号伝搬遅延を大幅に小さくした絶縁ゲート型電界効果トランジスタを用いた集積回路装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

A plurality of insulated gate field-effect transistors, which are formed surrounded by an element isolation insulating layer and provided with a neutral region 4c which is not depleted in a part of a semiconductor layer 4, are formed in the semiconductor layer 4 formed on a substrate 1 via an embedded insulating layer 3.例文帳に追加

基板２上に埋込絶縁層３を介して形成された半導体層４内に、それぞれ素子分離絶縁層により周囲を囲まれ形成され、かつ、半導体層４の一部に空乏化されない中性領域４ｃを備える複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁

Semiconductor devices include an insulated trench electrode 11 in a trench 20, for example, trench-gate field effect power transistors and trenched Schottky diodes, a cavity 23 is provided between the bottom 25 of the trench electrode 11 and the bottom 27 of the trench 20 to reduce the dielectric coupling between the trench electrode 11 and the body portion 14 at the bottom 27 of the trench 20.例文帳に追加

トレンチ型電界効果パワートランジスタ及びトレンチ型ショットキダイオードのような、トレンチ２０において絶縁トレンチ電極１１を含む半導体デバイスにおいて、トレンチ２０の底部２７において本体部分１４とトレンチ電極１１との間の誘電結合部を低減させるために、トレンチ２０の底部２７とトレンチ電極１１の底部２５との間にキャビティ２３がもたらされる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes a well region 13 of second conductivity type composed by connecting first regions 14a, 14b and 14c having a first resistance and second regions 15a and 15b having a second resistance higher than the first resistance, and insulated gate field effect transistors 16 and 17 formed in the first regions 14b and 14c.例文帳に追加