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lattice compoundとは 意味・読み方・使い方
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「lattice compound」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 105件
NUCLEIC ACID COMPOUND, NUCLEIC ACID LATTICE AND NUCLEIC ACID POLYHEDRON例文帳に追加
核酸化合物、核酸格子及び核酸多面体 - 特許庁
LATTICE MISMATCHED INFRARED COMPOUND SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR例文帳に追加
格子不整合赤外化合物半導体受光素子 - 特許庁
B2 RULE LATTICE INTERMETALLIC COMPOUND TARGET AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加
B2規則格子金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 - 特許庁
The difference in lattice constants between those of BN and sapphire is small, and the difference in lattice constants between those of BN-based compound semiconductor and sapphire is also small.例文帳に追加
BNはサファイアと格子定数差が小さく、これを含むBN系化合物半導体もサファイアとの格子定数差が小さい。 - 特許庁
The oxide sintered compact contains a spinel compound represented by an AB_2O_4-type compound composed of zinc oxide, gallium oxide and tin oxide, and having a lattice constant which is a middle one between the lattice constant of a spinel compound represented by ZnGa_2O_4 and the lattice constant of a spinel compound represented by Zn_2SnO_4.例文帳に追加
酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ZnGa_2O_4で表されるスピネル化合物の格子定数とZn_2SnO_4で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するAB_2O_4型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 - 特許庁
To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots.例文帳に追加
III−V族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるIII−V族化合物半導体上に形成する。 - 特許庁
For a buffer layer 12, a compound of a group III element and a group V element which has a lattice constant between the lattice constant of a silicon substrate 11 and the lattice constant of the epitaxial layer 13 is permissible selected.例文帳に追加
バッファ層12は、シリコン基板11の格子定数と、エピタキシャル層13の格子定数との間の格子定数をもつ、第3族元素と第5族元素との化合物が選択されればよい。 - 特許庁
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「lattice compound」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 105件
Further, the superior quality of crystal of another compound semiconductor not lattice-matched with the above substrate can be obtained.例文帳に追加
またこの基板とは格子整合しない別の化合物半導体の良質な結晶を得ることができる。 - 特許庁
A semiconductor substrate is provided, which includes a first III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and not containing arsenic, and a second semiconductor layer which is formed in contact with the first semiconductor layer, includes a III-V compound semiconductor layer lattice-matching or pseudo-lattice-matching InP and can be selectively oxidized with the first semiconductor layer.例文帳に追加
InPに格子整合または擬格子整合する砒素を含まない3−5族化合物の第1半導体層と、前記第1半導体層に接して形成された、InPに格子整合または擬格子整合する3−5族化合物の半導体層であって、前記第1半導体層に対し選択的に酸化が可能な第2半導体層と、を備えた半導体基板が提供される。 - 特許庁
The ZnTe-based compound semiconductor single crystal is formed by doping a dopant element characterized in that the dopant element can occupy a Zn lattice position, and the energy at the time the dopant element occupies the Zn lattice position is stabler than the energy when a vacancy is formed at the Zn lattice position.例文帳に追加
Zn格子位置を占める元素で、Zn格子位置を占めたときのエネルギーがZn格子位置に空孔を形成したときのエネルギーよりも安定であるドーパント元素をドーピングしてZnTe系化合物半導体単結晶を形成するようにした。 - 特許庁
The void of a unit lattice of skutterudite compound CoSb3 is filled with Yb which is a rare earth element, to cause a phonon scatter due to rattling effect independent of surrounding lattice oscillation, providing a relatively low lattice heat conductivity.例文帳に追加
スクッテルダイト化合物CoSb_3 の単位格子の空隙に希土類元素であるYbを充填し、これによって空隙に充填されたYbが周りの格子振動と無関係にガラガラのように鳴る運動(rattling効果)によるフォノン散乱を生じさせて、相対的に小さい格子熱伝導率を得る。 - 特許庁
The high-performance thermoelectric conversion material is a filled skutterudite compound such that a gap of a unit lattice of a skutterudite compound CoSb_3 is filled with Yb, a lattice constant of crystal thereof is ≥9.05 Å, and the system and the structure of the filled skutterudite compound are in a CoSb_3 single phase.例文帳に追加
スクッテルダイト系化合物CoSb_3単位格子の空隙にYbが充填された、フィルド・スクッテルダイト系化合物であって、その結晶の格子定数が9.05Å以上であり、該フィルド・スクッテルダイト系化合物の組織及び構造がCoSb_3単相であることを特徴とする、高性能熱電変換材料。 - 特許庁
To obtain a crystal of a metal compound, which has a reduced particle size and increased lattice defects, when sterilizing laundry with metal ions.例文帳に追加
洗濯物を金属イオンで抗菌処理するに際し、粒子の小さい、格子欠陥の多い金属化合物の結晶が得られるようにする。 - 特許庁
Cracks previously provided on a second nitriding compound semiconductor layer 2 have an action to reduce a tensile distortion caused by a difference in a lattice constant.例文帳に追加
第2の窒化化合物半導体層2に予め設けられたクラックは、格子定数の違いによる引張り歪みを緩和する作用がある。 - 特許庁
Consequently, the dislocation density caused by the difference of lattice constant between a GaN compound semiconductor layer and the substrate is reduced.例文帳に追加
それによって、GaN化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。 - 特許庁
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