oxygen deficitとは 意味・読み方・使い方

Preferably the silver film at its substrate side is furnished with a foundation film and the foundation film consists of a titanium oxide film and the titanium oxide film is preferably formed of an oxygen-deficit target.例文帳に追加

前記銀膜の基板側に下地膜を形成することが好ましく、前記下地膜が酸化チタン膜であり、かつ酸化チタン膜が酸素欠損ターゲットから形成されることが好ましい。 - 特許庁

Based on the predicted value of Cgin, an excess and deficit amount Cgout of oxygen in exhaust gas flowed into the downstream of the catalyst is estimated (step 104).例文帳に追加

Ｃｇｉｎの予測値に基づいて、運転状態の切り換え後に、触媒の下流に流出する排気ガス中の酸素過不足量Ｃｇｏｕｔを推定する（ステップ１０４）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic component for less variations in quality and improved yield by suppressing fluctuation in oxygen deficit quantity.例文帳に追加

酸素欠損量の変動を抑制することによって、品質のばらつきが少なく、歩留まりを向上させることが可能な電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active functional agent given by preparing ostrich blood, without causing deactivation of fatigue recovery action, resistance to oxygen deficit, resistance to cold temperature, resistance to high temperature, an anticancer effect, and a vigor enhancing effect.例文帳に追加

疲労回復作用、抗酸素不足、抗高寒、抗高温、抗がん効果、精力増強効果の失活なくダチョウ血液を調整した、活性機能剤の提供。 - 特許庁

When titanium oxide targets are sputtered by a sputtering gas added with an oxygen gas, the titanium oxide thin film 31 can replenish deficit oxygen atoms, and thereby the titanium oxide thin film 31 having a photocatalyst function can be formed.例文帳に追加

酸化チタン薄膜３１は、酸素ガスが添加されたスパッタリングガスにより、酸化チタンターゲットをスパッタリングすると、形成される酸化チタン薄膜中の欠損酸素を補充できるので、光触媒機能を有する酸化チタン薄膜３１を形成することができる。 - 特許庁

To provide an intraocular drug administration appliance solving problems with conventional pharmacological treatment using contact lens made of a hydrogel material, responding to many patients without any trouble caused by a long-time lens wearing such as oxygen deficit conditions of the cornea, and being advantageous in the price.例文帳に追加

従来のヒドロゲル材料により作られたコンタクトレンズ を用いる薬物治療の問題点を解決して、角膜が酸素欠乏状態などの長期装用による障害が発生せずに多くの患者に対応可能であるばかりか、価格的にも有利な眼内用の薬剤投与具を提供する。 - 特許庁

To set a threshold voltage of each transistor to a suitable value and to suppress a decrease in mobility due to an oxygen deficit in a gate insulating film although a common gate insulating film structure and gate electrode material are used for an n-type MOS transistor and a p-type MOS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳトランジスタ、ｐ型ＭＯＳトランジスタにおいて共通のゲート絶縁膜構造及びゲート電極材料を用いながら、各々のトランジスタのしきい値電圧を適正な値へ設定し、且つゲート絶縁膜における酸素欠損に伴う移動度の低下を抑制する。 - 特許庁

The storage quantity of HC is obtained by the time integral of the product of the absorption factor to the catalyst 3, an air-fuel ratio, and an intake quantity, and a target air-fuel ratio is corrected to compensate for the deficit quantity of the oxygen storage quantity to a target quantity based on the calculated result.例文帳に追加

一方、ＨＣのストレージ量を、その触媒３への吸収率と空燃比と吸気量の積を時間積分して求め、この演算結果に基づき、酸素ストレージ量の目標量に対する不足量が補償されるように目標空燃比を補正する。 - 特許庁