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photo etching methodとは 意味・読み方・使い方
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「photo etching method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
PHOTO-ETCHING METHOD例文帳に追加
フォトエッチング方法 - 特許庁
To prevent the formation of a connection electrode with fault due to excessive etching by etching fluid in the etching process of a photo lithography method.例文帳に追加
フォトリソグラフィ法におけるエッチング工程時に、エッチング液による過食刻によって不良な接続電極が形成されるのを防止する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF PHOTO-ETCHING PRODUCT AND PATTERN BOARD FOR EXPOSURE USED FOR IT例文帳に追加
フォトエッチング製品の製造方法およびそれに用いる露光用パターン板 - 特許庁
To provide a novel etching method which can avoid great damage to a photo resist as an etching mask and can suitably remove an unwanted part of an anti-reflection film to be exposed from the photo resist.例文帳に追加
エッチングマスクとなるフォトレジストに大きな損傷を与えることなく該フォトレジストから露出する反射防止膜の不要部分を好適に除去し得る新規なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
MASK FOR PHOTO-ELECTROCHEMICAL ETCHING, ITS FORMING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
光電気化学エッチング用マスク、その形成方法及び光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PHOTO ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAYS, UTILIZING THE SAME例文帳に追加
写真エッチング用装置及び方法、そしてこれを利用した液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a metal circuit which has a low electric resistance value and is stable without performing a conventional photo process nor a conventional etching process.例文帳に追加
従来のフォトプロセス及びエッチングプロセスを行わず、電気抵抗値が低く、且つ安定的な金属回路の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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「photo etching method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 59件
To provide an organic electroluminescent display device which can dispense with a photo-etching process for forming a spacer pattern and provide its manufacturing method.例文帳に追加
スペーサパターンを形成するための写真エッチング工程を排除する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a mask which can be used for a photo-electrochemical etching, can be worked finely, and has a resistance against an acid and an alkali, to provide a method for forming the mask and a manufacturing method for a semiconductor device using the mask for the photo-electrochemical etching.例文帳に追加
光電気化学エッチングに利用でき、微細加工が可能で、かつ、酸やアルカリに対して耐性があるマスクと、このマスクの形成方法と、この光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加
石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for eliminating photo and etching process in a key forming process to prevent a misalignment in the following photo process.例文帳に追加
後続のフォト工程における誤整列を防止するためのキーの形成工程においてフォト及びエッチング工程を省略する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.例文帳に追加
上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加
空洞13を有する被エッチング部材10のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂24を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク24aに対応したパターンを有するモールド50を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁
In case a photo etching method is used, the electrode and the black-colored strip are formed on a photo mask, photosensitive black-colored silver paste is printed on a glass plate, and the bus electrode and the black-colored strip are molded at one time by development and exposure.例文帳に追加
フォトエッチング法を用いる場合、フォトマスク上に電極および黒色ストリップを形成し、ガラス板上に感光性黒色銀ペーストを印刷し、現像および露光によってバス電極および黒色ストリップを一度に成型することを実現する。 - 特許庁
In this method, after etching and the photo resist peeling, the magnetic field reinforcement type reactivity ion etching method is used for removing a residual substance.例文帳に追加
本発明の方法によれば、エッチング及びフォトレジスト剥離後、磁界強化型反応性イオンエッチング法を用いて残留物質を除去することにおいて、その反応条件は、弗素及び酸素を含む気体が反応気体として用いられ、圧力が10〜50mtorrで、磁界が20〜100ガウスである。 - 特許庁
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