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photo via holeとは 意味・読み方・使い方
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「photo via hole」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
Thus, the defect peculiar for the photo via/laser via can be extracted while suppressing the canard to be easily issued at the position of through hole or photo via/laser via.例文帳に追加
これにより,スルホールやフォトビア・レーザビアの位置に出やすい虚報を抑えつつ,フォトビア・レーザビアに特有な欠陥を抽出できる。 - 特許庁
A delayed binary image and the hole information of photo via/laser via are inputted from a hole mask generating part 4 to the examining processing part 6 for via.例文帳に追加
ビア用検査処理部6には,穴マスク生成部4から,遅延2値画像とフォトビア・レーザビアの穴情報とが入力される。 - 特許庁
The scattering light 23 is detected via a pin hole slit 8 by a photo detection sensor 7a.例文帳に追加
光検出センサ7aにより、ピンホールスリット8を介して、その散乱光23を検出する。 - 特許庁
A photo- resist 48 is so packed in the via hole 46 as to cover its inside wall (steps 9-12).例文帳に追加
ビアホール46の内部に、その内壁を覆うようにフォトレジスト48を埋め込む(ステップ9〜12)。 - 特許庁
A first photo-resist 102 is applied on a GaAs substrate 101, and a photo-resist opening part 103 is formed, and a via hole 104 is formed.例文帳に追加
GaAs基板101上に第1のホトレジスト102を塗布し、ホトレジスト開口部103を形成して、バイアホール104を形成する。 - 特許庁
In addition to an examining processing part 5 for pattern for examining the propriety by applying mask processing at the position of through hole or photo via/laser via, an examining processing part 6 for via is provided for recognizing a defect peculiar for the position of photo via/laser via.例文帳に追加
スルホールやフォトビア・レーザビアの位置にマスク処理を施して良否検査を行うパターン用検査処理部5に加えて,フォトビア・レーザビアの位置に特有な欠陥を認識するためのビア用検査処理部6を設けた。 - 特許庁
The method can solve the problems of a full-via first method and a partial-via first method, as the selective over layer forms a deep partial through-hole and an undeveloped photo resist prevents deposition during following manufacturing steps.例文帳に追加
本発明は、選択性オーバーレイヤが深い部分貫通孔を形成し、未現像のフォトレジストが後続の製造ステップの間堆積されるのを阻止するために、full-via first method とpartial-via first method の問題点を解決できる。 - 特許庁
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「photo via hole」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
Then, applying etching using a photo resist 110 formed with a first via-hole opening 111 and a second via-hole opening 112 with a wider base area than that of the first via-hole opening 111 to the interlayer insulation film 108 forms the first and second via-holes 113, 114.例文帳に追加
次いで、第一のビア用開口部111および第一のビア用開口部111よりも底面積の広い第二のビア用開口部112が形成されたフォトレジスト110を用いたエッチングにより、層間絶縁膜108に、第一のビアホール113と、第二のビアホール114を形成する。 - 特許庁
The photo-curing resin layer is exposed and developed via a photoresist, and the unexposed part thereof is removed to form the hole 11.例文帳に追加
光硬化性樹脂層9はフォトレジスト10を介して露光、現像し、未露光部分を除去して穴部11を形成する。 - 特許庁
To form a photo via hole in a photosensitive insulating layer disposed on a built-up multilayer circuit board without forming pinholes.例文帳に追加
ビルドアップ多層配線板に設けられる感光性絶縁層に、ピンホールを形成することなく、フォトバイアホールを形成する。 - 特許庁
The layer 12 is then exposed with UV through a 2nd photo film 14 with a formed original image 14a corresponding to the photo via hole.例文帳に追加
その後、感光性絶縁層12に対して、フォトバイアホールに対応した原画像14aが形成された第2フォトフィルム14を介して、紫外線を露光する。 - 特許庁
A photosensitive insulating layer 12 disposed on a substrate is exposed with UV, through a 1st photo film 13 with a formed original image 13a corresponding to a photo via hole.例文帳に追加
基板上に設けられた感光性絶縁層12に対して、フォトバイアホールに対応した原画像13aが形成された第1フォトフィルム13を介して、紫外線を露光する。 - 特許庁
Then, a signal wiring layer 9 having the specific pattern is formed on the copper layer 1 by the photo process and etching, photo solder resist 10 is applied, patterning is made into a prescribed shape, and a via hole 11 for a soldering ball is formed by baking for curing.例文帳に追加
次に、他の銅層1にフォトプロセスとエッチングによって所定のパターンを有する信号配線層9を形成し、フォトソルダレジスト10を塗布し、所定の形状にパターニングし、ベークを行って硬化させて半田ボール用のビア11を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein connection between an air gap and a via hole of an upper layer interconnection layer can be prevented when there occurs an alignment deviation between photo masks in photoengraving, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.例文帳に追加
デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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