quinaryとは 意味・読み方・使い方

QUINARY ALLOY PARTICLE例文帳に追加

５元系合金粒子 - 特許庁

A quantization part 201 quantizes multivalue picture data into a quinary and outputs the quinary into the code of four bits, which can be expressed.例文帳に追加

量子化部201は、多値の画像データを五値に量子化して、五値を表現可能な4ビットのコードとして出力する。 - 特許庁

In the counter 29, an enable signal EN from a decode circuit 28 is used as a permission pulse of down-counting, and a quinary count value is imparted from a counter 27 to the decode circuit 28.例文帳に追加

カウンタ２９は、デコード回路２８からのイネーブル信号ＥＮをダウンカウントの許可パルスとし、そのデコード回路２８にはカウンタ２７から５進カウント値が与えられている。 - 特許庁

A pair of internal signals A01, A11 and A02, A12 is generated, which are provided with a value obtained by halving a value where the lowest- order bit LSB of a three-bit and quinary input signal is neglected.例文帳に追加

３ビットかつ５値の入力信号の最下位ビットＬＳＢを無視した値を１／２した値を有する１組の内部信号Ａ０１，Ａ１１及びＡ０２，Ａ１２を生成する。 - 特許庁

To provide a two-terminal surface mount piezoelectric resonator with an externally mounted load capacitor used in a thickness longitudinal ternary harmonic mode that prevents primary or quinary spurious oscillation or the like.例文帳に追加

厚み縦３次高調波モードで使用する負荷容量外付け２端子表面実装型圧電共振部品において、１次あるいは５次等のスプリアス発振を防止した圧電共振部品を提供する。 - 特許庁

The hydrogen occlusion material is a single material of a hydrogen occlusion metal (e.g. Mg, Ti, Zr, La), hydrogen occlusion alloy (e.g. Mg2Ni, TiFe, ZrMn2, LaNi), or partially substd. alloy of these hydrogen occlusion alloys (ternary, quaternary and quinary alloys).例文帳に追加

水素吸蔵体は、水素吸蔵金属単体（例えば、Ｍｇ,Ｔｉ,Ｚｒ,Ｌａ等）、水素吸蔵合金（例えば、Ｍｇ_２Ｎｉ，ＴｉＦｅ，ＺｒＭｎ_２，ＬａＮｉ等）、或いはこれら水素吸蔵合金の一部置換合金（三元系、四元系、五元系等）である。 - 特許庁

When the higher harmonic components from the quinary harmonic to the octenary harmonic of the electrode current reach a preset value or larger, an etching treatment having high accuracy in low damage is enabled, and the effect where the yield of the semiconductor device can be improved is displayed, because the generation of charging damage can be prevented by controlling the equipment, to stop the working of the equipment.例文帳に追加

電極電流の５次から８次の高調波成分があらかじめ設定した値以上となった場合、装置の稼動を停止するよう制御することにより、チャージングダメージの発生を未然に防ぐことができるので、低ダメージで高精度なエッチング処理が可能であり、半導体デバイスの歩留まりを向上させることができるという効果がある。 - 特許庁