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silicide contactとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 けい化物接触; ケイ化物接点
「silicide contact」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 221件
The semiconductor device comprises a metal silicide semiconductor contact structure.例文帳に追加
半導体装置はメタルシリサイド−半導体コンタクト構造を有する。 - 特許庁
Silicide layers 5a are disposed on the bit line contact region 9a.例文帳に追加
ビット線コンタクト領域9a上にはシリサイド層5aを有する。 - 特許庁
A contact 10 is formed on the contact region 6 through a silicide layer 8.例文帳に追加
コンタクト領域6上には、シリサイド層8を介してコンタクト10が形成されている。 - 特許庁
BOUNDARY CONTACT FOR CONCATENATING CONTACT REGION AND CONDUCTIVE LAYER USING SILICIDE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
シリサイドを使用してコンタクト領域と導電層を連接する境界コンタクトとその製造方法 - 特許庁
This electrode for electrolyte contact has an electrode layer and a metal silicide-including layer including a metal silicide.例文帳に追加
電極層と、金属シリサイドを含有する金属シリサイド含有層とを有する電解液接触用電極である。 - 特許庁
A silicide layer 106B is formed on the impurity layer 103, and a contact 109 formed on the silicide layer 106B is formed.例文帳に追加
不純物層103上にシリサイド層106Bが形成されており、シリサイド層106B上に形成されたコンタクト109が形成されている。 - 特許庁
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「silicide contact」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 221件
A part of the silicide layer 6 directly under the contact hole is turned amorphous through an ion implantation method 13, by which silicide is lessened in wet resistance, and silicide directly under the contact hole is removed in a self- aligned manner, after silicide is cleaned and pre-treated before polysilicon is grown.例文帳に追加
イオン注入法13により、コンタクト孔直下部分のシリサイド層6をアモルファス化することにより、シリサイドのウェット耐性を低下させ、更に、ポリシリコンの成長前にシリサイドの洗浄と前処理を施すした後に、コンタクト孔直下のシリサイドが自己整合的に除去される。 - 特許庁
To suppress a silicide layer from being formed deeper than a diffusion layer, even if a second silicide layer is formed on the bottom surface of a contact hole connected to a first silicide layer on the diffused layer.例文帳に追加
拡散層上の第1のシリサイド層に接続するコンタクトホールの底面に第2のシリサイド層を形成しても、シリサイド層が拡散層より深く形成されることを抑制する。 - 特許庁
A metal silicide 108 is used as an Ohm contact point layer in the TFT structure.例文帳に追加
金属ケイ化物108が、TFT構造におけるオーム接点層として使用される。 - 特許庁
BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED SILICIDE AND SELF-ALIGNED EMITTER CONTACT BORDER例文帳に追加
自己整合シリサイドおよび自己整合エミッタ・コンタクト境界を有するバイポーラ・トランジスタ - 特許庁
To provide a method of forming a silicide layer which is in contact with a silicon substrate.例文帳に追加
本発明は、シリコン基板に接触するシリサイド層を形成するための方法を与える。 - 特許庁
A lower contact hole A is provided with a titanium silicide film 105 at its bottom.例文帳に追加
下側のコンタクトホールAは、その底部にチタンシリサイド膜105が形成されている。 - 特許庁
A contact 513 is connected to the first gate electrode 230 via the silicide layer 235.例文帳に追加
そしてコンタクト513は、シリサイド層235を介して第1ゲート電極230に接続している。 - 特許庁
In the etching process, etching of a contact groove 96 is stopped at the silicide film 102 until a contact groove 110 reaches the FD 52 after the contact groove 96 reaches to the silicide film 102.例文帳に追加
エッチング工程において、コンタクト溝96がシリサイド膜102に到達した以降、コンタクトホール110がFD52に到達するまで、コンタクト溝96のエッチングはシリサイド膜102で停止される。 - 特許庁
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