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silicon pn junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 シリコンpn接合
「silicon pn junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 48件
The temperature sensor is a pn junction silicon diode.例文帳に追加
温度センサは、pn接合シリコンダイオードである。 - 特許庁
The pn junction contains a polycrystal silicon.例文帳に追加
pn接合は、多結晶シリコンを含みうる。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING SILICON FILM, METHOD FOR FORMING PN JUNCTION, AND PN JUNCTION FORMED BY USING THE SAME例文帳に追加
シリコン膜の形成方法、pn接合の形成方法、及びこれを用いて形成されたpn接合 - 特許庁
To provide a PN junction diode suppressing defects such as a leak current generated by contact of a P/N junction interface end of a silicon semiconductor with the atmosphere and hardly causing failure, and to provide a method for manufacturing the PN junction diode.例文帳に追加
シリコン半導体のP/N接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたPN接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor layer in the light receiving part (region PD) has a pn junction in a junction part of the p^--type epitaxial layer 2 and the n-type silicon substrate 5a.例文帳に追加
受光部(領域PD)における半導体層は、p^−型エピタキシャル層2とn型シリコン基板5aとの接合部にpn接合を有する。 - 特許庁
To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加
炭化珪素基板を用いた接合型FETにおいて、ゲート・ソース間のpn接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁
The method of evaluating the silicon substrate includes forming a PN junction on a silicon substrate surface, irradiating a depletion region of the silicon substrate having the PN junction formed with an electron beam, and evaluating the silicon substrate from the wavelength and intensity of light emitted by the silicone substrate irradiated with the electron beam.例文帳に追加
シリコン基板表面にPN接合を作製し、PN接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。 - 特許庁
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「silicon pn junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 48件
To provide a method for forming a silicon film composed of a polycrystal by using a micro-heater, a method for forming a pn junction, and a pn junction formed by using the same.例文帳に追加
マイクロヒーターを利用して、多結晶シリコンからなるシリコン膜を形成する方法、pn接合を形成する方法、及びこれを用いて形成されたpn接合を提供する。 - 特許庁
A source and the first silicon film constitute a high concentration impurity pn junction via a thin silicon oxide film to become an Esaki diode exhibiting the negative differentiating resistor.例文帳に追加
ソースと第一の多結晶シリコン膜は、薄いシリコン酸化膜を介した高濃度不純物pn接合を構成しており、負性微分抵抗を示すエサキ・ダイオードとなる。 - 特許庁
The PN junction of the photodiode is formed with the silicon substrate 2 being an anode and the n^+ diffusion region 4 being a cathode.例文帳に追加
シリコン基板2がアノード、N^+拡散領域4がカソードとなってフォトダイオードのPN接合を形成している。 - 特許庁
Therefore a high speed operation is possible without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of the silicon substrate 2 and an adjacent growing layer 22.例文帳に追加
したがって、シリコン基板2、隣接する成長層22とのPN接合による静電容量がなく高速動作が可能である。 - 特許庁
Then, after the plate is crimped to the conductive layer of the substrate, PN junction is formed at silicon for forming the porous body.例文帳に追加
そしてプレートを基板の導電層に圧着した後、多孔体をなすシリコンにPN接合を形成する。 - 特許庁
To provide a method for easily forming a pn junction between a silicon substrate and a zinc oxide thin film at a low cost.例文帳に追加
シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にpn接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。 - 特許庁
The metal silicide film 104 is formed on the polycrystalline silicon film 103 across the PN junction boundary 105.例文帳に追加
多結晶シリコン膜103上にPN接合境界105を跨ぐように金属シリサイド膜104が形成されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing, with high productivity, an epitaxial wafer of parallel pn junction structure in high quality, by evenly removing a rise in a silicon in forming a parallel pn junction structure for precise and efficient final polishing process of a silicon substrate surface.例文帳に追加
並列pn接合構造を形成する際に生じるシリコンの盛り上がりを均一に除去し、シリコン基板表面の最終研磨工程を高精度かつ高効率に行い、高品質な並列pn接合構造エピタキシャルウェーハを優れた生産性で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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