silicon pressure sensorとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor pressure sensor, capable of improving the destructive pressure resistance by reducing the stress concentration in the boundary between a part facing a recess and a part jointed to a first silicon substrate on the surface of a second silicon substrate facing the first silicon substrate, and to provide a method of manufacturing the semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the pressure sensor is arranged within a side door, a pressure receiving surface 18a of the silicon diaphragm 18 is tilted to side-impact direction.例文帳に追加

圧力センサをサイドドア内に配設する場合、シリコンダイヤフラム１８の受圧面１８ａを側面衝突方向に対し傾ける。 - 特許庁

This pressure sensor is provided with a single-crystal silicon support substrate 1, an insulating layer 2 formed on the single-crystal silicon support substrate 1, and a single-crystal silicon thin sheet 3 having a uniform thickness formed on the insulating layer 2.例文帳に追加

圧力センサは、単結晶シリコン支持基板１と、単結晶シリコン支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された均一な厚さを有する単結晶シリコン薄板３とを備えている。 - 特許庁

The pressure sensor forms an elastic part (vibration absorbing structure) 29 thinning a part of a silicon base material composing a silicon plate 12 at a boundary region of the frame body 19 of the silicon plate 12 and a diaphragm part 17.例文帳に追加

こうしたシリコン板１２の枠体１９とダイヤフラム部１７との境界領域には、シリコン板１２を構成するシリコン基材の一部を薄肉化した弾性部（振動吸収構造）２９が形成される。 - 特許庁

This element has a semiconductor pressure sensor tip 1 mainly composed of silicon carbide and formed to have a diaphragm 1a, and a seat 2 mainly composed of silicon carbide as well and formed to have a pressure introduction hole 2a.例文帳に追加

炭化珪素を主成分とする、ダイヤフラム１ａを有する半導体圧力センサチップ１と、炭化珪素を主成分とする、圧力導入孔２ａを有する台座２とを有する。 - 特許庁

The laminated film of the silicon nitride film 28/the tungsten silicide film 26 constitutes the diaphragm of the pressure sensor.例文帳に追加

窒化シリコン膜２８／タングステンシリサイド膜２６の積層膜は、圧力センサのダイヤフラムを構成している。 - 特許庁

The silicon wafer 2' is cut into a square chip for each of the recess 3, each chip is used for a piezo-resistance type pressure sensor.例文帳に追加

シリコンウェーハ２’を各凹所３毎に四角のチップに切断して、各チップをピエゾ抵抗式圧力センサとする。 - 特許庁

Then, the detection-use pressure sensor 103 and the safety valve are arranged in direct connection on the silicon substrate 101.例文帳に追加

そして、上記シリコン基板１０１に上記検出用圧力センサ１０３と安全弁を直接接続して配置している。 - 特許庁