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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > spin tunnelingの意味・解説 

spin tunnelingとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「spin tunneling」の意味

spin tunneling

スピントンネル
Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「spin tunneling」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

SPIN DETECTING SHAFT ROTATING TYPE SPIN POLARIZED SCANNING TUNNELING MICROSCOPE例文帳に追加

スピン検出軸回転型スピン偏極走査型トンネル顕微鏡 - 特許庁

SPIN POLARIZED SCANNING TUNNELING MICROSCOPE例文帳に追加

スピン偏極走査型トンネル顕微鏡 - 特許庁

SPIN POLARIZED SCANNING TUNNELING MICROSCOPE, AND REGENERATOR例文帳に追加

スピン偏極走査型トンネル顕微鏡及び再生装置 - 特許庁

SPIN DEPENDENT TUNNELING JUNCTION FOR MRAM DEVICES例文帳に追加

MRAMデバイス用スピン依存型トンネリング接合 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MRAM drive comprising spin dependent tunneling junction memory cells.例文帳に追加

スピン依存型トンネリング接合メモリセルを含むMRAMデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To separately measure a tunneling current derived from the uneven surface state of a sample and a tunneling current derived from a magnetized state at every magnetic domain of the sample in a spin polarization scanning tunneling microscope and to observe the surface uneven state of the sample and the magnetized state of each magnetic domain of the sample with high accuracy.例文帳に追加

スピン偏極走査型トンネル顕微鏡に関し、試料の各磁区ごとに試料表面の凹凸状態に起因するトンネル電流と磁化状態に起因するトンネル電流とを別々に測定できるようにし、試料表面の凹凸状態と試料の各磁区の磁化状態とを高精度に観測することができるようにする。 - 特許庁

例文

For this reason, a spin polarization arises symmetrically near both the interfaces in the tunneling barrier layer 50, as a result, a larger rate of resistance change DR/R and a higher breakdown voltage are obtained.例文帳に追加

このため、トンネルバリア層50における両方の界面近傍において対称的にスピン分極が生じ、その結果、より高い抵抗変化率DR/Rおよび絶縁破壊電圧が得られる。 - 特許庁

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「spin tunneling」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

To secure a readout margin of a spin torque transfer MRAM by reducing an influence of variations in on resistance of a cell transistor by increasing an effective resistance value of a magnetic tunneling junction (MTJ) element.例文帳に追加

スピン注入MRAMにおいて、磁気トンネル接合(MTJ)素子の実効的な抵抗値を上げてセルトランジスタのオン抵抗のばらつきの影響を低減し、読み出しマージンを確保する。 - 特許庁

A spin torque transfer magnetic memory device has magnetic tunneling junction elements, entering the same resistance state when a write current is applied, disposed in series at both sides of the source and drain of a selection transistor.例文帳に追加

スピン注入磁気メモリ装置は、選択トランジスタのソース・ドレインの両側に、書き込み電流印加時に同じ抵抗状態をとる磁気トンネル接合素子が直列に配置されている。 - 特許庁

例文

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film.例文帳に追加

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるMIS接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。 - 特許庁

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