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意味・対訳 歪み集中


JST科学技術用語日英対訳辞書での「strain concentration」の意味

strain concentration


「strain concentration」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 58



例文

A gefitinib-resistant strain is obtained by repeating the culture of a human non-small cell lung cancer cell strain PC-9 in a culture medium whose gefitinib concentration is gradually enhanced.例文帳に追加

ヒト非小細胞肺癌細胞株PC−9をゲフィニチブ含有濃度が徐々に高まる培地で繰り返し培養し、ゲフィニチブ耐性株。 - 特許庁

To provide a high pressure gas storage facility which does not cause strain concentration against an airtight member.例文帳に追加

気密材に対してひずみ集中が発生することのないような高圧気体貯蔵施設を提供する。 - 特許庁

Further the bacterial strain can proliferate using high concentration of alkylphenolpolyethoxylate in an aquatic environment.例文帳に追加

更に、水性環境下の高濃度のアルキルフェノールポリエトキシレートで増殖することができる。 - 特許庁

To avoid the problem of stress concentration and strain caused by welding in an exhaust emission control device 1.例文帳に追加

排気ガス浄化装置1における溶接起因の応力集中や歪の問題を回避する。 - 特許庁

Layers can also line recess sidewalls with one concentration of strain-inducing impurity and fill the remainder to the recess with a lower concentration of the impurity.例文帳に追加

膜は、所定の濃度のひずみを引き起こす不純物でリセス側壁をラインし、より低い濃度の不純物でリセスの残りの部分を埋め込む。 - 特許庁

A plate-like test-piece 1 in the end part of which a notch 6 is formed is set to a side bend testing machine and, by making it break by imparting in-plane tension and bending, and strain, a strain gradient and strain concentration in the broken part are measured.例文帳に追加

板端部に切欠き6が形成された板状試験片1をサイドベンド試験機にセットし、板面内の引張および曲げを与えて破断させ、破断部のひずみとひずみ勾配とひずみ集中とを測定する。 - 特許庁

例文

The FOH-producing yeast may be a monoploid yeast which is obtained by hybridizing the FOH-producing yeast with a monoploid strain of a Sake yeast (Kyokai-No.7 strain yeast), forming spores, and then anatomizing sporangiums, and can produce the FOH in a high concentration.例文帳に追加

FOH生産性酵母と清酒酵母(協会7号系酵母)の一倍体株と交雑させ、胞子形成させた後、子嚢解剖を行い得られた一倍体株で高濃度のFOHを生産する酵母とすることもできる。 - 特許庁

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「strain concentration」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 58



例文

To provide a strain gauge for sensing a fatigue degree, which allows an installation space to be reduced and is capable of measuring strain near a stress concentration part of a local structure.例文帳に追加

取り付けスペースを小さくでき、局部的な構造物の応力集中部近くでの測定を可能とした疲労度検出ひずみゲージを提供することである。 - 特許庁

To provide a wheel bearing with a sensor which avoids concentration of a strain on a corner portion of a notch part of a strain generating member in a sensor unit and thus enables accurate detection of a load on a wheel.例文帳に追加

センサユニットにおける歪み発生部材の切欠き部隅部に歪みが集中するのを回避して、車輪にかかる荷重を正確に検出できるセンサ付車輪用軸受を提供する。 - 特許庁

To enable avoidance of problems of stress concentration and strain due to welding causes in an exhaust gas purifying apparatus 1.例文帳に追加

排気ガス浄化装置1における溶接起因の応力集中や歪の問題を回避できるようにする。 - 特許庁

Continuous culture involving a substrate concentration challenge lead to evolution of ALKl, and formation of a more robust strain designated ALK2.例文帳に追加

基質濃度の刺激を伴う連続培養は、ALK1の進化と、より頑健なALK2と称される株の形成をもたらす。 - 特許庁

A bacterial strain for high-acid fermentation is used in the fermentative production of a vinegar having an extract concentration of 3-13 w/v%.例文帳に追加

エキス濃度3〜13重量/容量%の食酢を発酵生産するにあたり、高酸度発酵利用菌を用いる。 - 特許庁

The degree of strain and the degree of sharpness are extracted on the basis of a shape of the tail part 32 of the actual impurity concentration profile.例文帳に追加

歪度と尖度は現実の不純物濃度プロファイルのテール部32の形状に基づいて抽出される。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域13が、高濃度拡散領域13より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層12を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子10内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

例文

The silicon single crystal wafer contains a dopant at a concentration of 1.0×1012 atoms/cm3 or more with an oxygen concentration of 0.5×1018 atoms/cm3 or more and has a crystal lattice strain of 1×10-9 to10-5 (atomic unit).例文帳に追加

シリコン単結晶ウエハは、酸素濃度が0.5×10^18atoms/cm^3以上で、ドーパントを1.0×10^12atoms/cm^3 以上の濃度で含み、結晶格子歪みが1×10^-9〜2×10^-5(原子単位)の範囲にある。 - 特許庁

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