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u-wordとは 意味・読み方・使い方

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機械工学英和和英辞典での「u-word」の意味

uword(unsigned word)


「u-word」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

flags %u (%lu before Linux 2.6.22) The kernel flags word of the process.発音を聞く 例文帳に追加

flags %u (Linux 2.6.22 より前は %lu)プロセスのカーネルフラグワード。 - JM

Its name 'Utan' consists of 'u,' a Japanese word corresponding to a cormorant, and 'tan,' a child's word of 'chan.'発音を聞く 例文帳に追加

名称は、鵜の「う」と「ちゃん」の幼児語をもじって「うーたん」となっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is said that the prefix 'musu' comes from the word 'umusu (産むす)' meaning 'to arise spontaneously,' with the letter 'u' being removed.発音を聞く 例文帳に追加

「ムス」は「ウムス(産むす)」の「ウ」が取れたものとされ、自然に発生するといった意味がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The "u" of ugal comes from Japanese words for "fish" and "sea," and "gal" is an English word for "girl."発音を聞く 例文帳に追加

ウギャルの「ウ」は日本語の「魚(うお)」や「海」に由来しており,「ギャル(gal)」は「女の子」の意味の英語だ。 - 浜島書店 Catch a Wave

In a word dictionary 6, words to be recognized being generated by a dictionary creating section 7 by describing syllables with the possibility of being prolonged exiting in each word to be recognized in the special phonemes "i/e" and "u/o" are stored.例文帳に追加

また、単語辞書6には、辞書作成部7によって、各認識対象単語中に存在する長音化の可能性がある音節を上記特別な音素「i/e」,「u/o」で表記して作成された認識対象単語が格納される。 - 特許庁

The display object displayed with the pronunciation of the word of the Roman alphabet is displayed with symbol united with at least two selected from the group of katakana (the angular phonetic Japanese syllabary) 'a', 'i', 'u', 'e', 'o' to one as the pronunciation symbol of the vowel of the word described above.例文帳に追加

欧文字の単語の発音が表示された表示物であって、前記単語の母音の発音記号として片仮名文字「ア」「イ」「ウ」「エ」「オ」の群の中から選ばれる少なくとも二つを一つに合体させた記号が表示されてなる。 - 特許庁

例文

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer 34 functioning as bodies of the memory transistors MTr1 to 8, a charge storage layer 33b formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 and configured to hold data by storing charges, and word line conductive layers 31a to 31d formed to surround the U-shaped semiconductor layer 34 via the charge storage layer 33b.例文帳に追加

メモリストリングMSは、メモリトランジスタMTr1〜8のボディとして機能するU字状半導体層34と、U字状半導体層34を取り囲むように形成され、電荷を蓄積することによりデータを保持する電荷蓄積層33bと、電荷蓄積層33bを介してU字状半導体層34を取り囲むワード線導電層31a〜31dとを備える。 - 特許庁

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Wiktionary英語版での「u-word」の意味

u-word

参考


「u-word」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

Then, the first binary word is transformed into a second binary word approximately showing a value of an exponential function in which the first value is a variable by using the preceding bit group BGV as exponential information (S) of the exponential function and also by using the subordinate bit group BGL as mantissa information [{1+(M/2L)}] of the exponential function.例文帳に追加

次に、上位ビット・グループBG_Uを指数関数の指数情報(S)として使用し、かつ下位ビット・グループBG_Lを指数関数の仮数情報({1+(M/2^L)})として使用することにより、第1二進ワードを、第1の値を変数とする指数関数値を近似的に表す第2の二進ワードに変換する。 - 特許庁

A dummy transistor DTr includes a dummy word line conductive layer 41 formed while surrounding the boundary between the U-shaped semiconductor layer 35 and the drain-side columnar semiconductor layer 57a.例文帳に追加

ダミートランジスタDTrは、U字状半導体層35とドレイン側柱状半導体層57aとの境界を取り囲むように形成されたダミーワード線導電層41を備える。 - 特許庁

The memory string MS includes a U-shaped semiconductor layer having a columnar part, a charge storage layer formed to surround a side surface of the columnar part, and a word line conductive layer formed to surround the charge storage layer.例文帳に追加

メモリストリングMSは、柱状部を含むU字状半導体層と、柱状部の側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層を取り囲むように形成されたワード線導電層とを備える。 - 特許庁

Further, a word dictionary 6 is stored with words to be recognized which are generated by describing syllables which are present in respective words to be recognized and possibly voiceless by using the special phonemes "i/-" and "u/-" by a dictionary generation part 7.例文帳に追加

また、単語辞書6には、辞書作成部7によって、各認識対象単語中に存在する無声化の可能性がある音節を上記特別な音素「i/−」,「u/−」で表記して作成された認識対象単語が格納される。 - 特許庁

A plurality of bits of a first binary word formed by a plurality of a bit showing a first value are divided into a preceding bit group BGV and a subordinate bit group BGL.例文帳に追加

第1の値を表す複数のビットから成る第1の二進ワードの複数のビットを、上位ビット・グループBG_Uと下位ビット・グループBG_Lとに分割する。 - 特許庁

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a; a memory gate insulating layer 34 formed while surrounding the side of the columnar section 35a; and word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the memory gate insulating layer 34.例文帳に追加

メモリストリングMSは、柱状部35aを有するU字状半導体層35と、柱状部35aの側面を取り囲むように形成されたメモリゲート絶縁層34と、メモリゲート絶縁層34を取り囲むように形成されたワード線導電層32a〜32dとを備える。 - 特許庁

A memory string MS includes: a pair of columnar portions; a U-shape semiconductor layer 35 having a coupling portion for coupling the lower ends of the columnar portions; a tunnel insulating layer 34c for surrounding the columnar portions; a charge accumulating layer 34b; a block insulating layer 34a; and word line conductive layers 32a-32d for surrounding the block insulating layer 34a.例文帳に追加

メモリストリングMSは、一対の柱状部、及びそれらの下端を連結させる連結部を有するU字状半導体層35、柱状部を取り囲むトンネル絶縁層34c、電荷蓄積層34b、ブロック絶縁層34a、及びブロック絶縁層34aを取り囲むワード線導電層32a〜32dを備える。 - 特許庁

例文

A memory string MS includes: a U-shaped semiconductor layer 35 including a pair of columnar sections 35a extended vertically and a connection section 35b connecting their lower ends; a charge storage layer 34 formed while surrounding the columnar sections 35a; and first to fourth word line conductive layers 32a-32d formed while surrounding the columnar sections 35a and the charge storage layer 34.例文帳に追加

メモリストリングMSは、垂直方向に延びる一対の柱状部35a、それらの下端を連結する連結部35bを有するU字状半導体層35と、柱状部35aを取り囲むように形成された電荷蓄積層34と、柱状部35a及び電荷蓄積層34を取り囲むように形成された第1〜第4ワード線導電層32a〜32dとを備える。 - 特許庁

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